|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
| 1. |
М. С. Иванов, Н. И. Подольская, П. Б. Родин, “Двойная лавинная инжекция в диодных лавинных обострителях”, Физика и техника полупроводников, 54:3 (2020), 275–279   ; M. S. Ivanov, N. I. Podolska, P. B. Rodin, “Double avalanche injection in diode avalanche sharpeners”, Semiconductors, 54:3 (2020), 345–349 |
2
|
|
2019 |
| 2. |
Н. И. Подольская, П. Б. Родин, “Численное моделирование субнаносекундного лавинного переключения кремниевых $n^{+}$–$n$–$n^{+}$-структур”, Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019), 401–406 ; N. I. Podolska, P. B. Rodin, “Subnanosecond avalanche switching simulations of $n^{+}$–$n$–$n^{+}$ silicon structures”, Semiconductors, 53:3 (2019), 379–384 |
|
2018 |
| 3. |
В. И. Брылевский, И. А. Смирнова, Н. И. Подольская, Ю. А. Жарова, П. Б. Родин, И. В. Грехов, “Экспериментальное наблюдение задержанного ударно-ионизационного пробоя полупроводниковых структур без $p$–$n$-переходов”, Письма в ЖТФ, 44:4 (2018), 66–73 ; V. I. Brylevsky, I. A. Smirnova, N. I. Podolska, Yu. A. Zharova, P. B. Rodin, I. V. Grekhov, “Experimental observation of delayed impact-ionization avalanche breakdown in semiconductor structures without $p$–$n$ junctions”, Tech. Phys. Lett., 44:2 (2018), 160–163 |
4
|
|
2017 |
| 4. |
Н. И. Подольская, А. Г. Люблинский, И. В. Грехов, “Численное моделирование наносекундного переключения $p$-SOS-диода”, ЖТФ, 87:12 (2017), 1790–1793 ; N. I. Podolska, A. G. Lyublinsky, I. V. Grekhov, “The numerical simulation of the nanosecond switching of a $p$-SOS diode”, Tech. Phys., 62:12 (2017), 1787–1790 |
1
|
| 5. |
Н. И. Подольская, П. Б. Родин, “Субнаносекундноe ударно-ионизационное переключение кремниевых структур без $p$–$n$-переходов”, Письма в ЖТФ, 43:11 (2017), 55–62 ; N. I. Podolska, P. B. Rodin, “Subnanosecond impact-ionization switching of silicon structures without $p$–$n$ junctions”, Tech. Phys. Lett., 43:6 (2017), 527–530 |
5
|
|
Обратная связь: