|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
| 1. |
А. В. Желаннов, А. С. Ионов, Б. И. Селезнев, Д. Г. Федоров, “Омические контакты к приборным структурам на основе нитрида галлия”, Физика и техника полупроводников, 54:3 (2020), 246–250   ; A. V. Zhelannov, A. S. Ionov, B. I. Seleznev, D. G. Fedorov, “Ohmic contacts to gallium nitride-based structures”, Semiconductors, 54:3 (2020), 317–321 |
2
|
|
2016 |
| 2. |
Б. И. Селезнев, Г. Я. Москалев, Д. Г. Федоров, “Фотонный отжиг имплантированных кремнием слоев нитрида галлия”, Физика и техника полупроводников, 50:6 (2016), 848–853 ; B. I. Seleznev, G. Ya. Moskalev, D. G. Fedorov, “On the photon annealing of silicon-implanted gallium-nitride layers”, Semiconductors, 50:6 (2016), 832–838 |
3
|
|
Обратная связь: