Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 6, страницы 848–853 (Mi phts6451)  
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Фотонный отжиг имплантированных кремнием слоев нитрида галлия

Б. И. Селезневa, Г. Я. Москалевb, Д. Г. Федоровab

a Новгородский государственный университет имени Ярослава Мудрого
b АО "ОКБ-Планета", г. Великий Новгород
PDF полного текста (577 kB) Список цитирования (3)
Аннотация: Проведен анализ условий формирования ионно-легированных слоев на нитриде галлия при внедрении ионов кремния с применением фотонного отжига и защитных диэлектрических покрытий диоксида и нитрида кремния. Установлены режимы формирования ионно-легированных слоев с высокой степенью активации примеси. Исследованы температурные зависимости поверхностной концентрации носителей и подвижности в ионно-легированных слоях GaN для различных температур отжига.
Поступила в редакцию: 16.11.2015
Принята в печать: 18.11.2015
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 6, Pages 832–838
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616060221
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Б. И. Селезнев, Г. Я. Москалев, Д. Г. Федоров, “Фотонный отжиг имплантированных кремнием слоев нитрида галлия”, Физика и техника полупроводников, 50:6 (2016), 848–853; Semiconductors, 50:6 (2016), 832–838
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SelMosFed16}
\by Б.~И.~Селезнев, Г.~Я.~Москалев, Д.~Г.~Федоров
\paper Фотонный отжиг имплантированных кремнием слоев нитрида галлия
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 6
\pages 848--853
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6451}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27368924}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 6
\pages 832--838
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782616060221}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6451
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i6/p848
    • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024