|
Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 6, страницы 848–853
(Mi phts6451)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур
Фотонный отжиг имплантированных кремнием слоев нитрида галлия
Б. И. Селезневa, Г. Я. Москалевb, Д. Г. Федоровab a Новгородский государственный университет имени Ярослава Мудрого
b АО "ОКБ-Планета", г. Великий Новгород
Аннотация:
Проведен анализ условий формирования ионно-легированных слоев на нитриде галлия при внедрении ионов кремния с применением фотонного отжига и защитных диэлектрических покрытий диоксида и нитрида кремния. Установлены режимы формирования ионно-легированных слоев с высокой степенью активации примеси. Исследованы температурные зависимости поверхностной концентрации носителей и подвижности в ионно-легированных слоях GaN для различных температур отжига.
Поступила в редакцию: 16.11.2015 Принята в печать: 18.11.2015
Образец цитирования:
Б. И. Селезнев, Г. Я. Москалев, Д. Г. Федоров, “Фотонный отжиг имплантированных кремнием слоев нитрида галлия”, Физика и техника полупроводников, 50:6 (2016), 848–853; Semiconductors, 50:6 (2016), 832–838
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6451 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i6/p848
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 24 | PDF полного текста: | 18 |
|