Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 3, страницы 246–250
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.03.49028.9224 (Mi phts5260) 		 
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Омические контакты к приборным структурам на основе нитрида галлия

А. В. Желанновa, А. С. Ионовa, Б. И. Селезневb, Д. Г. Федоровa

a АО "ОКБ-Планета", г. Великий Новгород
b Новгородский государственный университет имени Ярослава Мудрого
PDF полного текста (145 kB) Список цитирования (2)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.03.49028.9224
Аннотация: Представлены исследования характеристик омических контактов к эпитаксиальным и ионно-легированным слоям нитрида галлия на основе системы металлизации Cr/Pt/Au. Показана возможность формирования низкоомных контактов без использования высокотемпературной обработки. Для гетероструктур на основе AlGaN/GaN показано улучшение характеристик омических контактов Ti/Al/Ni/Au при использовании ионной имплантации через маску двуокиси кремния.
Ключевые слова: гетероструктура, нитрид галлия, омический контакт, система металлизации, ионная имплантация, быстрый термический отжиг, удельное контактное сопротивление.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 3.3572.2017/ПЧ
Публикация подготовлена при финансовой поддержке Министерства образования и науки России в рамках проектной части государственного задания, проект № 3.3572.2017/ПЧ.
Поступила в редакцию: 23.07.2019
Исправленный вариант: 03.09.2019
Принята в печать: 05.11.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 3, Pages 317–321
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620030197
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. В. Желаннов, А. С. Ионов, Б. И. Селезнев, Д. Г. Федоров, “Омические контакты к приборным структурам на основе нитрида галлия”, Физика и техника полупроводников, 54:3 (2020), 246–250; Semiconductors, 54:3 (2020), 317–321
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ZheIonSel20}
\by А.~В.~Желаннов, А.~С.~Ионов, Б.~И.~Селезнев, Д.~Г.~Федоров
\paper Омические контакты к приборным структурам на основе нитрида галлия
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 3
\pages 246--250
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5260}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2020.03.49028.9224}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=42776677}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 3
\pages 317--321
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620030197}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5260
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i3/p246
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:71
    PDF полного текста:30
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024