|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники
Омические контакты к приборным структурам на основе нитрида галлия
А. В. Желанновa, А. С. Ионовa, Б. И. Селезневb, Д. Г. Федоровa a АО "ОКБ-Планета", г. Великий Новгород
b Новгородский государственный университет имени Ярослава Мудрого
Аннотация:
Представлены исследования характеристик омических контактов к эпитаксиальным и ионно-легированным слоям нитрида галлия на основе системы металлизации Cr/Pt/Au. Показана возможность формирования низкоомных контактов без использования высокотемпературной обработки. Для гетероструктур на основе AlGaN/GaN показано улучшение характеристик омических контактов Ti/Al/Ni/Au при использовании ионной имплантации через маску двуокиси кремния.
Ключевые слова:
гетероструктура, нитрид галлия, омический контакт, система металлизации, ионная имплантация, быстрый термический отжиг, удельное контактное сопротивление.
Поступила в редакцию: 23.07.2019 Исправленный вариант: 03.09.2019 Принята в печать: 05.11.2019
Образец цитирования:
А. В. Желаннов, А. С. Ионов, Б. И. Селезнев, Д. Г. Федоров, “Омические контакты к приборным структурам на основе нитрида галлия”, Физика и техника полупроводников, 54:3 (2020), 246–250; Semiconductors, 54:3 (2020), 317–321
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5260 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i3/p246
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 58 | PDF полного текста: | 20 |
|