|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
| 1. |
М. С. Афанасьев, Е. И. Гольдман, Г. В. Чучева, А. Э. Набиев, Дж. И. Гусейнов, Н. Ш. Алиев, “Электропроводность структур металл–диэлектрик–полупроводник на основе сегнетоэлектрических пленок”, Физика твердого тела, 62:1 (2020), 121–124   ; M. S. Afanasiev, E. I. Goldman, G. V. Chucheva, A. E. Nabiyev, J. И. Huseynov, N. Sh. Aliev, “Conductivity of metal–dielectric–semiconductor structures based on ferroelectric films”, Phys. Solid State, 62:1 (2020), 164–167 |
1
|
|
2019 |
| 2. |
Е. И. Гольдман, А. Э. Набиев, В. Г. Нарышкина, Г. В. Чучева, “О природе повышения подвижности электронов в канале инверсии у границы раздела кремний-окисел после полевого воздействия”, Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019), 89–92 ; E. I. Goldman, A. E. Nabiyev, V. G. Naryshkina, G. V. Chucheva, “On the nature of the increase in the electron mobility in the inversion channel at the silicon–oxide interface after the field effect”, Semiconductors, 53:1 (2019), 85–88 |
1
|
|
2018 |
| 3. |
М. С. Афанасьев, Д. А. Киселев, С. А. Левашов, В. А. Лузанов, А. Э. Набиев, В. Г. Нарышкина, А. А. Сивов, Г. В. Чучева, “Влияние материала подложки на структуру и электрофизические свойства тонких пленок Ba$_{x}$Sr$_{1-x}$TiO$_{3}$”, Физика твердого тела, 60:5 (2018), 951–954 ; M. S. Afanasiev, D. A. Kiselev, S. A. Levashov, V. A. Luzanov, A. E. Nabiyev, V. G. Naryshkina, A. A. Sivov, G. V. Chucheva, “The influence of the substrate material on the structure and electrophysical properties of Ba$_{x}$Sr$_{1-x}$TiO$_{3}$ thin films”, Phys. Solid State, 60:5 (2018), 954–957 |
3
|
|
2017 |
| 4. |
Х. А. Гасанов, Д. И. Гусейнов, В. В. Дадашова, А. Э. Набиев, И. И. Аббасов, “Термоэдс фононного увлечения в квантовой проволоке с параболическим потенциалом конфайнмента для электронов”, Изв. Сарат. ун-та. Нов. cер. Сер. Физика, 17:4 (2017), 263–268 |
|
2013 |
| 5. |
М. С. Афанасьев, С. А. Левашов, А. Ю. Митягин, Г. В. Чучева, А. Э. Набиев, “Расчёт теплофизических параметров и технология формирования МПЛ СВЧ диапазона”, Изв. Сарат. ун-та. Нов. cер. Сер. Физика, 13:1 (2013), 9–12 |
|
2012 |
| 6. |
Г. В. Чучева, М. С. Афанасьев, И. А. Анисимов, А. И. Георгиева, С. А. Левашов, А. Э. Набиев, “Определение параметров планарных конденсаторов на основе тонкопленочных сегнетоэлектрических материалов”, Изв. Сарат. ун-та. Нов. cер. Сер. Физика, 12:2 (2012), 8–11 |
|
|
|
2016 |
| 7. |
Р. С. Мадатов, А. С. Алекперов, А. Э. Набиев, “Влияние примесных атомов Sm на эффект переключения в тонких пленках GeS”, Изв. Сарат. ун-та. Нов. cер. Сер. Физика, 16:4 (2016), 212–217 |
1
|
|
Обратная связь: