Влияние примесных атомов Sm на эффект переключения в тонких пленках GeS

В последние годы возросло внимание к новым полупроводниковым материалам на основе А$^{iv}$В$^{vi}$. Среди них особый интерес представляют тонкие фоточувствительные пленки моносульфида германия. Недавно было создано уникальное устройство из GeS. Тонкие пластинки способны содержать большое количество ионов лития. Данный материал отлично подходит в качестве сырья при производстве солнечных панелей. Наряду с этим качеством тонкие пленки моносульфида германия обладают эффектами переключения и памяти. Тонкие пленки, полученные термическим испарением на холодных подложках, являются аморфными. Примеси редкоземельных элементов, в том числе атомы Sm, образуют зародыши кристаллизации. Несмотря на то что кристаллизация полностью не осуществляется по всему объему, фазовый переход обнаруживается в тонких пленках GeS:Sm. Характерными для этого эффекта является большая разница в сопротивлении высокоомного и низкоомного состояния, большое число циклов переключения, малые времена и энергии переключения. В ходе наших исследований было выявлено, что кратность изменения сопротивления при переключении равна 105-106, время переключения - ( 10$^{-6}$ с), потребляемая энергия при переключении - ( 10$^{-7}$ Дж). Это обусловливает необходимость исследования основных закономерностей эффекта переключения проводимости в тонких пленках GeS:Sm с памятью, их зависимость от внешних факторов. В связи с этим были проведены исследования влияния температуры и освещения на эффект переключения в тонких пленках GeS:Sm.