|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
1. |
С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, А. И. Романычев, И. А. Касаткин, А. С. Лошаченко, “Низкотемпературный рост кубической фазы CdS методом атомно-слоевого осаждения на гибридных подложках SiC/Si”, Письма в ЖТФ, 46:21 (2020), 3–6 ; S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, A. I. Romanychev, I. A. Kasatkin, A. S. Loshachenko, “Low-temperature growth of the CdS cubic phase by atomic-layer deposition on SiC/Si hybrid substrates”, Tech. Phys. Lett., 46:11 (2020), 1049–1052 |
3
|
|
2016 |
2. |
С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, А. И. Романычев, “Эпитаксиальный рост оксида цинка методом молекулярного наслаивания на подложках SiC/Si”, Физика твердого тела, 58:7 (2016), 1398–1402 ; S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, A. I. Romanychev, “Epitaxial growth of zinc oxide by the method of atomic layer deposition on SiC/Si substrates”, Phys. Solid State, 58:7 (2016), 1448–1452 |
21
|
|