|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
| 1. |
С. Ю. Давыдов, А. В. Зубов, “О диполь-дипольном взаимодействии атомов в слоях, адсорбированных на трехмерных и двумерных полупроводниках”, Физика твердого тела, 62:8 (2020), 1302–1305   ; S. Yu. Davydov, A. V. Zubov, “On the dipole–dipole interaction of atoms in the layers adsorbed on three- and two-dimensional semiconductors”, Phys. Solid State, 62:8 (2020), 1469–1472 |
2
|
| 2. |
А. А. Лебедев, А. В. Кириллов, Л. П. Романов, А. В. Зубов, А. М. Стрельчук, “Разработка технологии и исследование сверхвысокочастотных переключателей на основе 4$H$-SiC $p$–$i$–$n$-диодов”, ЖТФ, 90:2 (2020), 264–267 ; A. A. Lebedev, A. V. Kirillov, L. P. Romanov, A. V. Zubov, A. M. Strel'chuk, “Development of the processing technique and study of microwave switches based on 4$H$-SiC $p$–$i$–$n$ diodes”, Tech. Phys., 65:2 (2020), 250–253 |
| 3. |
I. A. Eliseyev, V. Yu. Davydov, A. N. Smirnov, S. V. Belov, A. V. Zubov, S. P. Lebedev, A. A. Lebedev, “Raman studies of graphene films grown on 4$H$-SiC subjected to deposition of Ni”, Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020), 1388 ; Semiconductors, 54:12 (2020), 1674–1677 |
| 4. |
С. Ю. Давыдов, А. В. Зубов, “Гетероструктура 2D SiC/Si: электронные состояния и адсорбционная способность”, Физика и техника полупроводников, 54:7 (2020), 663–669 ; S. Yu. Davydov, A. V. Zubov, “2D SiC/Si structure: electron states and adsorbability”, Semiconductors, 54:7 (2020), 774–781 |
| 5. |
С. Ю. Давыдов, А. В. Зубов, “Точно решаемая модель графеновой наноленты с зигзагообразными краями”, Физика и техника полупроводников, 54:2 (2020), 170–175 ; S. Yu. Davydov, A. V. Zubov, “Exactly solvable model problem on a graphene nanoribbon with zigzag edges”, Semiconductors, 54:2 (2020), 222–227 |
2
|
| 6. |
С. Ю. Давыдов, А. А. Лебедев, А. В. Зубов, П. В. Булат, “Модельные оценки квантовой емкости графеноподобных наноструктур”, Письма в ЖТФ, 46:23 (2020), 19–21 ; S. Yu. Davydov, A. A. Lebedev, A. V. Zubov, P. V. Bulat, “Model estimates of the quantum capacitance of graphene-like nanostructures”, Tech. Phys. Lett., 46:12 (2020), 1174–1176 |
1
|
| 7. |
П. А. Алексеев, Б. Р. Бородин, И. А. Мустафин, А. В. Зубов, С. П. Лебедев, А. А. Лебедев, В. Н. Трухин, “Терагерцевый ближнепольный отклик в лентах графена”, Письма в ЖТФ, 46:15 (2020), 29–32 ; P. A. Alekseev, B. R. Borodin, I. A. Mustafin, A. V. Zubov, S. P. Lebedev, A. A. Lebedev, V. N. Trukhin, “Terahertz near-field response in graphene ribbons”, Tech. Phys. Lett., 46:8 (2020), 756–759 |
2
|
| 8. |
С. Ю. Давыдов, А. А. Лебедев, П. В. Булат, А. В. Зубов, “Модельные оценки квантовой емкости графеновых наноструктур”, Письма в ЖТФ, 46:15 (2020), 7–9 ; S. Yu. Davydov, A. A. Lebedev, P. V. Bulat, A. V. Zubov, “Model estimates of the quantum capacitance of graphene nanostructures”, Tech. Phys. Lett., 46:8 (2020), 733–736 |
4
|
| 9. |
А. С. Усиков, С. П. Лебедев, А. Д. Роенков, И. С. Бараш, С. В. Новиков, М. В. Пузык, А. В. Зубов, Ю. Н. Макаров, А. А. Лебедев, “Исследование чувствительной способности графена для применений в качестве биосенсоров”, Письма в ЖТФ, 46:10 (2020), 3–6 ; A. S. Usikov, S. P. Lebedev, A. D. Roenkov, I. S. Barash, S. V. Novikov, M. V. Puzyk, A. V. Zubov, Yu. N. Makarov, A. A. Lebedev, “Studying the sensitivity of graphene for biosensor applications”, Tech. Phys. Lett., 46:5 (2020), 462–465 |
4
|
|
2019 |
| 10. |
Г. С. Гребенюк, Е. Ю. Лобанова, Д. А. Смирнов, И. А. Елисеев, А. В. Зубов, А. Н. Смирнов, С. П. Лебедев, В. Ю. Давыдов, А. А. Лебедев, И. И. Пронин, “Интеркалирование графена на карбиде кремния кобальтом”, Физика твердого тела, 61:7 (2019), 1374–1384 ; G. S. Grebenyuk, E. Yu. Lobanova, D. A. Smirnov, I. A. Eliseyev, A. V. Zubov, A. N. Smirnov, S. P. Lebedev, V. Yu. Davydov, A. A. Lebedev, I. I. Pronin, “Cobalt intercalation of graphene on silicon carbide”, Phys. Solid State, 61:7 (2019), 1316–1326 |
10
|
| 11. |
А. А. Лебедев, В. В. Козловский, П. А. Иванов, М. Е. Левинштейн, А. В. Зубов, “Влияние облучения электронами высокой энергии на характеристики ударных токов высоковольтных интегрированных 4$H$-SiC $p$–$n$-диодов Шоттки”, Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019), 1448–1452 ; A. A. Lebedev, V. V. Kozlovsky, P. A. Ivanov, M. E. Levinshteǐn, A. V. Zubov, “Impact of high energy elctron irradiation on surge currents in 4$H$-SiC JBS Schottky diodes”, Semiconductors, 53:10 (2019), 1409–1413 |
1
|
| 12. |
С. Ю. Давыдов, А. В. Зубов, А. А. Лебедев, “Роль кулоновского взаимодействия электронов адсорбата и субстрата: модель поверхностного димера”, Письма в ЖТФ, 45:18 (2019), 21–23 ; S. Yu. Davydov, A. V. Zubov, A. A. Lebedev, “Coulomb electron interaction between an adsorbate and substrate: a model of a surface dimer”, Tech. Phys. Lett., 45:9 (2019), 924–926 |
2
|
| 13. |
А. А. Лебедев, И. П. Никитина, Н. В. Середова, Н. К. Полетаев, С. П. Лебедев, В. В. Козловский, А. В. Зубов, “Исследование влияния структурных дефектов на спектры фотолюминесценции в $n$-3$C$-SiC”, Письма в ЖТФ, 45:11 (2019), 28–30 ; A. A. Lebedev, I. P. Nikitina, N. V. Seredova, N. K. Poletaev, S. P. Lebedev, V. V. Kozlovskii, A. V. Zubov, “A study of the influence exerted by structural defects on photoluminescence spectra in $n$-3$C$-SiC”, Tech. Phys. Lett., 45:6 (2019), 557–559 |
3
|
| 14. |
С. Ю. Давыдов, А. В. Зубов, А. А. Лебедев, “Модель поверхностного димера в задаче об адсорбции”, Письма в ЖТФ, 45:9 (2019), 40–42 ; S. Yu. Davydov, A. V. Zubov, A. A. Lebedev, “A model of a surface dimer in the problem of adsorption”, Tech. Phys. Lett., 45:5 (2019), 461–463 |
5
|
|
|
|
2020 |
| 15. |
S. P. Lebedev, I. A. Eliseyev, V. N. Panteleev, P. A. Dementev, V. V. Shnitov, M. K. Rabchinskii, D. A. Smirnov, A. V. Zubov, A. A. Lebedev, “Comparative study of conventional and quasi-freestanding epitaxial graphenes grown on 4$H$-SiC substrate”, Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020), 1383 ; Semiconductors, 54:12 (2020), 1657–1660 |
|
Обратная связь: