|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
| 1. |
А. А. Ломов, Б. М. Середин, C. Ю. Мартюшов, А. Н. Заиченко, С. Г. Симакин, И. Л. Шульпина, “Структурное совершенство и состав легированных галлием термомиграционных слоев кремния”, Письма в ЖТФ, 46:6 (2020), 27–30   ; A. A. Lomov, B. M. Seredin, S. Yu. Martyushov, A. N. Zaichenko, S. G. Simakin, I. L. Shul'pina, “Structural perfection and composition of gallium-doped thermomigration silicon layers”, Tech. Phys. Lett., 46:3 (2020), 279–282 |
3
|
|
2019 |
| 2. |
Н. А. Соболев, А. Е. Калядин, В. И. Сахаров, И. Т. Серенков, Е. И. Шек, Е. О. Паршин, Н. С. Мелесов, С. Г. Симакин, “Дислокационная фотолюминесценция в кремнии, имплантированном ионами германия”, Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019), 165–168 ; N. A. Sobolev, A. E. Kalyadin, V. I. Sakharov, I. T. Serenkov, E. I. Shek, E. O. Parshin, N. S. Melesov, S. G. Simakin, “Dislocation-related photoluminescence in silicon implanted with germanium ions”, Semiconductors, 53:2 (2019), 156–159 |
2
|
|
Обратная связь: