Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Фомин Евгений Витальевич

В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 4
Научных статей: 4

Статистика просмотров:
Эта страница:29
Страницы публикаций:258
Полные тексты:78

https://www.mathnet.ru/rus/person185305
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2020
1. Е. В. Фомин, А. Д. Бондарев, И. П. Сошников, N. B. Bercu, L. Giraudet, M. Molinari, T. Maurer, Н. А. Пихтин, “Применение покрытий AlN для защиты поверхности гетероструктур системы AlGaAs/GaAs от взаимодействия с атмосферным кислородом”, Письма в ЖТФ, 46:6 (2020),  16–19  mathnet  elib; E. V. Fomin, A. D. Bondarev, I. P. Sotnikov, N. B. Bercu, L. Giraudet, M. Molinary, T. Maurer, N. A. Pikhtin, “Using AlN coatings to protect the surface of AlGaAs/GaAs system heterostructures from interaction with atmospheric oxygen”, Tech. Phys. Lett., 46:3 (2020), 268–271 1
2019
2. П. В. Середин, А. В. Федюкин, В. А. Терехов, К. А. Барков, И. Н. Арсентьев, А. Д. Бондарев, Е. В. Фомин, Н. А. Пихтин, “Фазовый состав, морфология, оптические и электронные характеристики наноразмерных пленок AlN, выращенных на подложках GaAs(100) с разориентацией”, Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019),  1584–1592  mathnet  elib; P. V. Seredin, A. V. Fedyukin, V. A. Terekhov, K. A. Barkov, I. N. Arsent'ev, A. D. Bondarev, E. V. Fomin, N. A. Pikhtin, “On the phase composition, morphology, and optical and electronic characteristics of AlN nanofilms grown on misoriented GaAs (100) substrates”, Semiconductors, 53:11 (2019), 1550–1557 1
3. Н. А. Соболев, В. И. Сахаров, И. Т. Серенков, А. Д. Бондарев, К. В. Карабешкин, Е. В. Фомин, А. Е. Калядин, В. М. Микушкин, Е. И. Шек, Е. В. Шерстнев, “Образование дефектов в структурах GaAs с непокрытой и покрытой пленкой AlN поверхностями при имплантации ионов азота и последующем отжиге”, Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019),  437–440  mathnet  elib; N. A. Sobolev, V. I. Sakharov, I. T. Serenkov, A. D. Bondarev, K. V. Karabeshkin, E. V. Fomin, A. E. Kalyadin, V. M. Mikushkin, E. I. Shek, E. V. Sherstnev, “Defect formation under nitrogen-ion implantation and subsequent annealing in GaAs structures with an uncovered surface and a surface covered with an AlN film”, Semiconductors, 53:4 (2019), 415–418 1
4. Е. В. Фомин, А. Д. Бондарев, A. I. Rumyantseva, T. Maurer, Н. А. Пихтин, С. А. Тарасов, “Топография поверхности и оптические характеристики тонких пленок AlN на подложке GaAs (100), полученных методом реактивного ионно-плазменного распыления”, Письма в ЖТФ, 45:5 (2019),  38–41  mathnet  elib; E. V. Fomin, A. D. Bondarev, A. I. Rumyantseva, T. Maurer, N. A. Pikhtin, S. A. Tarasov, “Surface topography and optical properties of thin AlN films produced on GaAs (100) substrate by reactive ion-plasma sputtering”, Tech. Phys. Lett., 45:3 (2019), 221–224 2
 
  Обратная связь:
 Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024