|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
А. Н. Косарев, В. В. Чалдышев, “Локализация носителей заряда в самоорганизованных квантовых точках InAs”, Письма в ЖТФ, 47:23 (2021), 51–54   |
2
|
|
2019 |
| 2. |
А. Н. Косарев, В. В. Чалдышев, А. А. Кондиков, Т. А. Вартанян, Н. А. Торопов, И. А. Гладских, П. В. Гладских, И. Акимов, M. Bayer, В. В. Преображенский, М. А. Путято, Б. Р. Семягин, “Эпитаксиальные квантовые точки InGaAs в матрице Al$_{0.29}$Ga$_{0.71}$As: интенсивность и кинетика люминесценции в ближнем поле серебряных наночастиц”, Оптика и спектроскопия, 126:5 (2019), 573–577 ; A. N. Kosarev, V. V. Chaldyshev, A. A. Kondikov, T. A. Vartanyan, N. A. Toropov, I. A. Gladskikh, P. V. Gladskikh, I. Akimov, M. Bayer, V. V. Preobrazhenskii, M. A. Putyato, B. R. Semyagin, “Epitaxial InGaAs quantum dots in Al$_{0.29}$Ga$_{0.71}$ As matrix: intensity and kinetics of luminescence in the near field of silver nanoparticles”, Optics and Spectroscopy, 126:5 (2019), 492–496 |
5
|
|
2016 |
| 3. |
А. Н. Косарев, В. В. Чалдышев, В. В. Преображенский, М. А. Путято, Б. Р. Семягин, “Влияние слоя GaAs, выращенного при низкой температуре, на фотолюминесценцию квантовых точек InAs”, Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016), 1519–1526 ; A. N. Kosarev, V. V. Chaldyshev, V. V. Preobrazhenskii, M. A. Putyato, B. R. Semyagin, “Effect of a low-temperature-grown GaAs layer on InAs quantum-dot photoluminescence”, Semiconductors, 50:11 (2016), 1499–1505 |
4
|
|
Обратная связь: