|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
И. С. Езубченко, М. Я. Черных, П. А. Перминов, Ю. В. Грищенко, И. Н. Трунькин, И. А. Черных, М. Л. Занавескин, “Особенности роста гетероструктур нитрида галлия на подложках кремния: управляемая пластическая деформация”, Письма в ЖТФ, 47:14 (2021), 26–29   ; I. S. Ezubchenko, M. Y. Chernykh, P. A. Perminov, Yu. V. Grishchenko, I. N. Trunkin, I. A. Chernykh, M. L. Zanaveskin, “Gan-on-silicon growth features: controlled plastic deformation”, Tech. Phys. Lett., 47:10 (2021), 705–708 |
|
2020 |
| 2. |
И. А. Черных, С. М. Романовский, А. А. Андреев, И. С. Езубченко, М. Я. Черных, Ю. В. Грищенко, И. О. Майборода, С. В. Корнеев, М. М. Крымко, М. Л. Занавескин, В. Ф. Синкевич, “Мощностные характеристики нитрид-галлиевых СВЧ-транзисторов на подложках кремния”, Письма в ЖТФ, 46:5 (2020), 11–14 ; I. A. Chernykh, S. M. Romanovskiy, A. A. Andreev, I. S. Ezubchenko, M. Y. Chernykh, Yu. V. Grishchenko, I. O. Mayboroda, S. V. Korneev, M. M. Krymko, M. L. Zanaveskin, V. Ph. Sinkevich, “Power characteristics of GaN microwave transistors on silicon substrates”, Tech. Phys. Lett., 46:3 (2020), 211–214 |
1
|
|
2019 |
| 3. |
И. В. Куликов, М. Я. Черных, Т. С. Крылова, А. В. Овчаров, И. А. Черных, М. Л. Занавескин, “Сверхпроводящий контакт для ВТСП-лент второго поколения”, Письма в ЖТФ, 45:7 (2019), 18–20 ; I. V. Kulikov, M. Y. Chernykh, T. S. Krylova, A. V. Ovcharov, I. A. Chernykh, M. L. Zanaveskin, “A superconducting joint for 2G HTS tapes”, Tech. Phys. Lett., 45:4 (2019), 324–326 |
5
|
| 4. |
А. А. Андреев, Ю. В. Грищенко, И. С. Езубченко, М. Я. Черных, Е. М. Колобкова, И. О. Майборода, И. А. Черных, М. Л. Занавескин, “Изучение характеристик транзисторов на гетероструктурах нитрида галлия, выращенных методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках сапфира и кремния”, Письма в ЖТФ, 45:4 (2019), 52–54 ; A. A. Andreev, Yu. V. Grishchenko, I. S. Ezubchenko, M. Y. Chernykh, E. M. Kolobkova, I. O. Mayboroda, I. A. Chernykh, M. L. Zanaveskin, “Studying the characteristics of transistors based on gallium nitride heterostructures grown by ammonia molecular beam epitaxy on sapphire and silicon substrates”, Tech. Phys. Lett., 45:2 (2019), 173–175 |
3
|
|
Обратная связь: