Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2020, том 46, выпуск 5, страницы 11–14
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2020.05.49100.18068 (Mi pjtf5165) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Мощностные характеристики нитрид-галлиевых СВЧ-транзисторов на подложках кремния

И. А. Черныхa, С. М. Романовскийb, А. А. Андреевa, И. С. Езубченкоa, М. Я. Черныхa, Ю. В. Грищенкоa, И. О. Майбородаa, С. В. Корнеевb, М. М. Крымкоb, М. Л. Занавескинa, В. Ф. Синкевичb

a Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", г. Москва
b АО "НПП "Пульсар", г. Москва
PDF полного текста (456 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2020.05.49100.18068
Аннотация: Методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений выращены нитрид-галлиевые гетероструктуры на подложках кремния. На их основе созданы транзисторы с периферией 1.32 mm. Мощность насыщения транзисторов в корпусе на частоте 1 GHz составила 4 и 6.3 W при напряжениях питания 30 и 60 V соответственно. Максимальный коэффициент полезного действия стока составил 57%.
Ключевые слова: транзистор с высокой подвижностью электронов, СВЧ-электроника, нитридная гетероструктура, нитрид галлия, полупроводниковые материалы, кремний.
Финансовая поддержка Номер гранта
Национальный исследовательский центр Курчатовский институт 1359
Работа выполнена при финансовой поддержке Национального исследовательского центра “Курчатовский институт” (приказ от 25.06.2019 г. № 1359).
Поступила в редакцию: 10.10.2019
Исправленный вариант: 26.11.2019
Принята в печать: 28.11.2019
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2020, Volume 46, Issue 3, Pages 211–214
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785020030050
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: И. А. Черных, С. М. Романовский, А. А. Андреев, И. С. Езубченко, М. Я. Черных, Ю. В. Грищенко, И. О. Майборода, С. В. Корнеев, М. М. Крымко, М. Л. Занавескин, В. Ф. Синкевич, “Мощностные характеристики нитрид-галлиевых СВЧ-транзисторов на подложках кремния”, Письма в ЖТФ, 46:5 (2020), 11–14; Tech. Phys. Lett., 46:3 (2020), 211–214
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{CheRomAnd20}
\by И.~А.~Черных, С.~М.~Романовский, А.~А.~Андреев, И.~С.~Езубченко, М.~Я.~Черных, Ю.~В.~Грищенко, И.~О.~Майборода, С.~В.~Корнеев, М.~М.~Крымко, М.~Л.~Занавескин, В.~Ф.~Синкевич
\paper Мощностные характеристики нитрид-галлиевых СВЧ-транзисторов на подложках кремния
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2020
\vol 46
\issue 5
\pages 11--14
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf5165}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2020.05.49100.18068}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=42776928}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2020
\vol 46
\issue 3
\pages 211--214
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785020030050}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5165
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v46/i5/p11
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:59
    PDF полного текста:74
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024