Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2019, том 45, выпуск 4, страницы 52–54
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2019.04.47340.17567 (Mi pjtf5537) 		 
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Изучение характеристик транзисторов на гетероструктурах нитрида галлия, выращенных методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках сапфира и кремния

А. А. Андреев, Ю. В. Грищенко, И. С. Езубченко, М. Я. Черных, Е. М. Колобкова, И. О. Майборода, И. А. Черных, М. Л. Занавескин

Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", г. Москва
PDF полного текста (254 kB) Список цитирования (3)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2019.04.47340.17567
Аннотация: Методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии выращены нитридные гетероструктуры на подложках сапфира и кремния. На их основе созданы транзисторы с периферией 1.2 mm. Транзисторы на подложках обоих типов демонстрируют схожие высокие статические характеристики: ток насыщения более 0.75 A/mm, крутизна более 300 mS/mm, напряжение пробоя выше 120 V. Измерения малосигнальных параметров свидетельствуют о большей величине усиления транзисторов на подложках кремния в диапазоне до 5 GHz. Удельная мощность на частоте 1 GHz составляет для транзисторов на подложке сапфира 5 W/mm, на подложке кремния – 2 W/mm.
Финансовая поддержка Номер гранта
Национальный исследовательский центр Курчатовский институт 1383
Работа выполнена при поддержке НИЦ “Курчатовский институт” (приказ от 23.08.2017 г. № 1383).
Поступила в редакцию: 22.10.2018
Исправленный вариант: 26.10.2018
Принята в печать: 28.10.2018
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2019, Volume 45, Issue 2, Pages 173–175
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785019020238
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. А. Андреев, Ю. В. Грищенко, И. С. Езубченко, М. Я. Черных, Е. М. Колобкова, И. О. Майборода, И. А. Черных, М. Л. Занавескин, “Изучение характеристик транзисторов на гетероструктурах нитрида галлия, выращенных методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках сапфира и кремния”, Письма в ЖТФ, 45:4 (2019), 52–54; Tech. Phys. Lett., 45:2 (2019), 173–175
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AndGriEzu19}
\by А.~А.~Андреев, Ю.~В.~Грищенко, И.~С.~Езубченко, М.~Я.~Черных, Е.~М.~Колобкова, И.~О.~Майборода, И.~А.~Черных, М.~Л.~Занавескин
\paper Изучение характеристик транзисторов на гетероструктурах нитрида галлия, выращенных методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках сапфира и кремния
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2019
\vol 45
\issue 4
\pages 52--54
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf5537}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2019.04.47340.17567}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=37481333}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2019
\vol 45
\issue 2
\pages 173--175
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785019020238}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5537
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v45/i4/p52
    • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:56
    PDF полного текста:15
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024