|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2024 |
| 1. |
Т. П. Естюнина, А. В. Тарасов, А. В. Ерыженков, Д. А. Естюнин, А. М. Шикин, “Модификация топологических поверхностных состояний в новых синтетических топологических системах
Mn$_{1-x}$A$_{x}$Bi$_2$Te$_4$/MnBi$_2$Te$_4$ (A = Si, Ge, Sn, Pb)”, Письма в ЖЭТФ, 119:6 (2024), 439–445  ; T. P. Estyunina, A. V. Tarasov, A. V. Eryzhenkov, D. A. Estyunin, A. M. Shikin, “Modification of topological surface states in novel Mn$_{1-x}$A$_{x}$Bi$_2$Te$_4$/MnBi$_2$Te$_4$ (A = Si, Ge, Sn, Pb) topological systems”, JETP Letters, 119:6 (2024), 451–457 |
|
2023 |
| 2. |
С. О. Фильнов, Д. А. Естюнин, И. И. Климовских, Т. П. Макарова, А. В. Королева, А. А. Рыбкина, Р. Г. Чумаков, А. М. Лебедев, О. Ю. Вилков, А. М. Шикин, А. Г. Рыбкин, “Cовместная интеркаляция ультратонких пленок Fe и Co под буферный слой графена на монокристалле SiC(0001)”, Письма в ЖЭТФ, 117:5 (2023), 369–376 ; S. O. Fulnov, D. A. Estyunin, I. I. Klimovskikh, T. P. Makarova, A. V. Koroleva, A. A. Rybkina, R. G. Chumakov, A. M. Lebedev, O. Yu. Vilkov, A. M. Shikin, A. G. Rybkin, “Joint intercalation of ultrathin Fe and Co films under a graphene buffer layer on a SiC(0001) single crystal”, JETP Letters, 117:5 (2023), 363–369 |
1
|
|
2022 |
| 3. |
Д. А. Глазкова, Д. А. Естюнин, И. И. Климовских, А. А. Рыбкина, И. А. Головчанский, О. Е. Терещенко, К. А. Кох, И. В. Щетинин, В. А. Голяшов, А. М. Шикин, “Смешанный тип магнитного порядка в собственных магнитных топологических изоляторах Mn(Bi,Sb)$_2$Te$_4$”, Письма в ЖЭТФ, 116:11 (2022), 793–800 ; D. A. Glazkova, D. A. Estyunin, I. I. Klimovskikh, A. A. Rybkina, I. A. Golovchanskiy, O. E. Tereshchenko, K. A. Kokh, I. V. Shchetinin, V. A. Golyashov, A. M. Shikin, “Mixed type of the magnetic order in intrinsic magnetic topological insulators Mn(Bi,Sb)$_2$Te$_4$”, JETP Letters, 116:11 (2022), 817–824 |
3
|
| 4. |
А. М. Шикин, Н. Л. Зайцев, А. В. Тарасов, Т. П. Макарова, Д. А. Глазкова, Д. А. Естюнин, И. И. Климовских, “Электронная и спиновая структура топологических поверхностных состояний MnBi$_4$Te$_7$ и MnBi$_6$Te$_{10}$ и их модификация приложенным электрическим полем”, Письма в ЖЭТФ, 116:8 (2022), 544–555 ; A. M. Shikin, N. L. Zaitsev, A. V. Tarasov, T. P. Makarova, D. A. Glazkova, D. A. Estyunin, I. I. Klimovskikh, “Electronic and spin structure of topological surface states in MnBi$_4$Te$_7$ and MnBi$_6$Te$_{10}$ and their modification by an applied electric field”, JETP Letters, 116:8 (2022), 556–566 |
10
|
| 5. |
Д. А. Глазкова, Д. А. Естюнин, И. И. Климовских, Т. П. Макарова, О. Е. Терещенко, К. А. Кох, В. А. Голяшов, А. В. Королева, А. М. Шикин, “Электронная структура магнитных топологических изоляторов серии Mn(Bi$_{1-x}$Sb$_{x})_2$Te$_4$ при изменении концентрации атомов Sb”, Письма в ЖЭТФ, 115:5 (2022), 315–321 ; D. A. Glazkova, D. A. Estyunin, I. I. Klimovskikh, T. P. Makarova, O. E. Tereshchenko, K. A. Kokh, V. A. Golyashov, A. V. Koroleva, A. M. Shikin, “Electronic structure of magnetic topological insulators Mn(Bi$_{1-x}$Sb$_{x})_2$Te$_4$ with various concentration of sb atoms”, JETP Letters, 115:5 (2022), 286–291 |
6
|
| 6. |
А. М. Шикин, Д. А. Естюнин, Д. А. Глазкова, С. О. Фильнов, И. И. Климовских, “Электронная, спиновая структура и магнитные свойства собственных антиферромагнитных топологических изоляторов семейства MnBi$_2$Te$_4$(Bi$_2$Te$_3$)$_{m}$ (Миниобзор)”, Письма в ЖЭТФ, 115:4 (2022), 241–255 ; A. M. Shikin, D. A. Estyunin, D. A. Glazkova, S. O. Ful'nov, I. I. Klimovskikh, “Electronic and spin structures of intrinsic antiferromagnetic topological insulators of the MnBi$_2$Te$_4$(Bi$_2$Te$_3$)$_{m}$ family and their magnetic properties (brief review)”, JETP Letters, 115:4 (2022), 213–225 |
13
|
|
2020 |
| 7. |
А. М. Шикин, Д. А. Естюнин, А. В. Королева, Д. А. Глазкова, Т. П. Макарова, С. О. Фильнов, “Механизм открытия щели в точке Дирака в электронном спектре Gd-допированного топологического изолятора”, Физика твердого тела, 62:2 (2020), 286–297  ; A. M. Shikin, D. A. Estyunin, A. V. Koroleva, D. A. Glazkova, T. P. Makarova, S. O. Ful'nov, “Gap opening mechanism at the Dirac point in the electronic spectrum of GD-doped topological insulator”, Phys. Solid State, 62:2 (2020), 338–349 |
6
|
| 8. |
А. К. Кавеев, А. Г. Банщиков, А. Н. Терпицкий, В. А. Голяшов, О. Е. Терещенко, К. А. Кох, Д. А. Естюнин, А. М. Шикин, “Раскрытие энергетической щели в области точки Дирака при осаждении кобальта на поверхность (0001) топологического изолятора BiSbTeSe$_{2}$”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020), 859–864 ; A. K. Kaveev, A. G. Banshchikov, A. N. Terpitsky, V. A. Golyashov, O. E. Tereshchenko, K. A. Kokh, D. A. Estyunin, A. M. Shikin, “Energy-gap opening near the Dirac point after the deposition of cobalt on the (0001) surface of the topological insulator BiSbTeSe$_{2}$”, Semiconductors, 54:9 (2020), 1051–1055 |
3
|
|
Обратная связь: