|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
М. С. Иванов, В. И. Брылевский, П. Б. Родин, “Волновые эффекты в коаксиальном тракте при субнаносекундном переключении высоковольтного диода в режиме задержанного ударно-ионизационного пробоя”, Письма в ЖТФ, 47:13 (2021), 32–35   ; M. S. Ivanov, V. I. Brylevsky, P. B. Rodin, “Wave effects in a coaxial transmission line under subnanosecond switching of a high-voltage diode in the delayed impact-ionization breakdown mode”, Tech. Phys. Lett., 47:9 (2021), 661–664 |
4
|
|
2020 |
| 2. |
М. С. Иванов, Н. И. Подольская, П. Б. Родин, “Двойная лавинная инжекция в диодных лавинных обострителях”, Физика и техника полупроводников, 54:3 (2020), 275–279 ; M. S. Ivanov, N. I. Podolska, P. B. Rodin, “Double avalanche injection in diode avalanche sharpeners”, Semiconductors, 54:3 (2020), 345–349 |
2
|
|
2019 |
| 3. |
Н. И. Подольская, П. Б. Родин, “Численное моделирование субнаносекундного лавинного переключения кремниевых $n^{+}$–$n$–$n^{+}$-структур”, Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019), 401–406 ; N. I. Podolska, P. B. Rodin, “Subnanosecond avalanche switching simulations of $n^{+}$–$n$–$n^{+}$ silicon structures”, Semiconductors, 53:3 (2019), 379–384 |
|
2018 |
| 4. |
В. И. Брылевский, И. А. Смирнова, Н. И. Подольская, Ю. А. Жарова, П. Б. Родин, И. В. Грехов, “Экспериментальное наблюдение задержанного ударно-ионизационного пробоя полупроводниковых структур без $p$–$n$-переходов”, Письма в ЖТФ, 44:4 (2018), 66–73 ; V. I. Brylevsky, I. A. Smirnova, N. I. Podolska, Yu. A. Zharova, P. B. Rodin, I. V. Grekhov, “Experimental observation of delayed impact-ionization avalanche breakdown in semiconductor structures without $p$–$n$ junctions”, Tech. Phys. Lett., 44:2 (2018), 160–163 |
4
|
|
2017 |
| 5. |
Н. И. Подольская, П. Б. Родин, “Субнаносекундноe ударно-ионизационное переключение кремниевых структур без $p$–$n$-переходов”, Письма в ЖТФ, 43:11 (2017), 55–62 ; N. I. Podolska, P. B. Rodin, “Subnanosecond impact-ionization switching of silicon structures without $p$–$n$ junctions”, Tech. Phys. Lett., 43:6 (2017), 527–530 |
5
|
|
2016 |
| 6. |
М. С. Иванов, П. Б. Родин, П. А. Иванов, И. В. Грехов, “Параметры карбид-кремниевых диодных обострителей импульсов пикосекундного диапазона”, Письма в ЖТФ, 42:1 (2016), 87–94 ; M. S. Ivanov, P. B. Rodin, P. A. Ivanov, I. V. Grekhov, “Parameters of silicon carbide diode avalanche shapers for the picosecond range”, Tech. Phys. Lett., 42:1 (2016), 43–46 |
6
|
|
Обратная связь: