|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
Г. Н. Камаев, В. А. Володин, Г. К. Кривякин, “Вертикальное упорядочение аморфных нанокластеров Ge в многослойных гетероструктурах $a$-Ge/$a$-Si:H”, Письма в ЖТФ, 47:12 (2021), 13–16   ; G. N. Kamaev, V. A. Volodin, G. K. Krivyakin, “Vertical ordering of amorphous Ge nanoclusters in multilayer $a$-Ge/$a$-Si:H heterostructures”, Tech. Phys. Lett., 47:8 (2021), 609–612 |
|
2020 |
| 2. |
Г. К. Кривякин, В. А. Володин, Г. Н. Камаев, А. А. Попов, “О влиянии гетерограниц и толщины на кинетику кристаллизации пленок аморфного германия”, Физика и техника полупроводников, 54:7 (2020), 643–647 ; G. K. Krivyakin, V. A. Volodin, G. N. Kamaev, A. A. Popov, “Effect of interfaces and thickness on the crystallization kinetics of amorphous germanium films”, Semiconductors, 54:7 (2020), 754–758 |
3
|
|
2019 |
| 3. |
Т. В. Перевалов, В. А. Володин, Ю. Н. Новиков, Г. Н. Камаев, В. А. Гриценко, И. П. Просвирин, “Наноразмерные флуктуации потенциала в SiO$_{x}$, синтезированном плазмохимическим осаждением”, Физика твердого тела, 61:12 (2019), 2528–2535 ; T. V. Perevalov, V. A. Volodin, Yu. N. Novikov, G. N. Kamaev, V. A. Gritsenko, I. P. Prosvirin, “Nanoscale potential fluctuations in SiO$_{x}$ synthesized by the plasma enhanced chemical vapor deposition”, Phys. Solid State, 61:12 (2019), 2560–2568 |
2
|
| 4. |
В. Н. Кручинин, Т. В. Перевалов, Г. Н. Камаев, С. В. Рыхлицкий, В. А. Гриценко, “Оптические свойства нестехиометрического оксида кремния SiO$_{x}$ ($x<$ 2)”, Оптика и спектроскопия, 127:5 (2019), 769–773 ; V. N. Kruchinin, T. V. Perevalov, G. N. Kamaev, S. V. Rykhlitskii, V. A. Gritsenko, “Optical properties of nonstoichiometric silicon oxide SiO$_{x}$ ($x<$ 2)”, Optics and Spectroscopy, 127:5 (2019), 836–840 |
4
|
|
2016 |
| 5. |
Г. К. Кривякин, В. А. Володин, С. А. Кочубей, Г. Н. Камаев, A. Purkrt, Z. Remes, R. Fajgar, T. H. Stuchliková, J. Stuchlik, “Оптические свойства $p$–$i$–$n$-структур на основе аморфного гидрогенизированного кремния с нанокристаллами кремния, сформированными с применением наносекундных лазерных отжигов”, Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016), 952–957 ; G. K. Krivyakin, V. A. Volodin, S. A. Kochubei, G. N. Kamaev, A. Purkrt, Z. Remes, R. Fajgar, T. H. Stuchliková, J. Stuchlik, “Optical properties of $p$–$i$–$n$ structures based on amorphous hydrogenated silicon with silicon nanocrystals formed via nanosecond laser annealing”, Semiconductors, 50:7 (2016), 935–940 |
10
|
| 6. |
А. А. Гисматулин, Г. Н. Камаев, “Электрофизические свойства наноструктур Si/SiO$_{2}$, полученных методом прямого сращивания”, Письма в ЖТФ, 42:11 (2016), 73–81 ; A. A. Gismatulin, G. N. Kamaev, “Electrophysical properties of Si/SiO$_{2}$ nanostructures fabricated by direct bonding”, Tech. Phys. Lett., 42:6 (2016), 590–593 |
3
|
|
Обратная связь: