Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Лапин Виктор Геннадьевич

В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 5
Научных статей: 5

Статистика просмотров:
Эта страница:42
Страницы публикаций:173
Полные тексты:84
профессор
доктор физико-математических наук

https://www.mathnet.ru/rus/person184589
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2021
1. С. А. Богданов, А. К. Бакаров, К. С. Журавлев, В. Г. Лапин, В. М. Лукашин, А. Б. Пашковский, И. А. Рогачёв, Е. В. Терёшкин, С. В. Щербаков, “Полевой транзистор миллиметрового диапазона длин волн на основе псевдоморфной гетероструктуры с дополнительными потенциальными барьерами”, Письма в ЖТФ, 47:7 (2021),  52–54  mathnet  elib; S. A. Bogdanov, A. K. Bakarov, K. S. Zhuravlev, V. G. Lapin, V. M. Lukashin, A. B. Pashkovskii, I. A. Rogachev, E. V. Tereshkin, S. V. Sherbakov, “A millimeter-wave field-effect transistor based on a pseudomorphic heterostructure with an additional potential barrier”, Tech. Phys. Lett., 47:4 (2021), 329–332
2019
2. А. Б. Пашковский, И. В. Куликова, В. Г. Лапин, В. М. Лукашин, Н. К. Приступчик, Л. В. Манченко, В. Г. Калина, М. И. Лопин, А. Д. Закурдаев, “Поверхностный тепловой интерфейс для мощных арсенид-галлиевых гетероструктурных полевых транзисторов”, ЖТФ, 89:2 (2019),  252–257  mathnet  elib; A. B. Pashkovskii, I. V. Kulikova, V. G. Lapin, V. M. Lukashin, N. K. Pristupchik, L. V. Manchenko, V. G. Kalina, M. I. Lopin, A. D. Zakurdaev, “Thermal surface interface for high-power arsenide–gallium heterostructure fets”, Tech. Phys., 64:2 (2019), 220–225
2018
3. А. Б. Пашковский, С. И. Новиков, В. Г. Лапин, В. М. Лукашин, Я. Б. Мартынов, “Особенности всплеска дрейфовой скорости электронов в DA-pHEMT”, Письма в ЖТФ, 44:17 (2018),  103–110  mathnet  elib; A. B. Pashkovskii, S. I. Novikov, V. G. Lapin, V. M. Lukashin, Ya. B. Martynov, “Features of the upsurge in drift velocity of electrons in DA-pHEMT”, Tech. Phys. Lett., 44:9 (2018), 804–807 3
2017
4. А. Б. Пашковский, С. И. Новиков, В. Г. Лапин, В. М. Лукашин, “Двумерный электронный газ в обращенных гетероструктурах с донорно-акцепторным легированием”, Письма в ЖТФ, 43:12 (2017),  42–51  mathnet  elib; A. B. Pashkovskii, S. I. Novikov, V. G. Lapin, V. M. Lukashin, “A two-dimensional electron gas in donor–acceptor doped backward heterostructures”, Tech. Phys. Lett., 43:6 (2017), 562–566 1
2016
5. А. А. Борисов, К. С. Журавлев, С. С. Зырин, В. Г. Лапин, В. М. Лукашин, A. A. Маковецкая, В. И. Новоселец, А. Б. Пашковский, А. И. Торопов, Н. Д. Урсуляк, С. В. Щербаков, “Исследование средней дрейфовой скорости электронов в pHEMT-транзисторах”, Письма в ЖТФ, 42:16 (2016),  41–47  mathnet  elib; A. A. Borisov, K. S. Zhuravlev, S. S. Zyrin, V. G. Lapin, V. M. Lukashin, A. A. Makovetskaya, V. I. Novoselets, A. B. Pashkovskii, A. I. Toropov, N. D. Ursulyak, S. V. Sherbakov, “Studying average electron drift velocity in pHEMT structures”, Tech. Phys. Lett., 42:8 (2016), 848–851 5

Организации
 
  Обратная связь:
 Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024