|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Двумерный электронный газ в обращенных гетероструктурах с донорно-акцепторным легированием
А. Б. Пашковский, С. И. Новиков, В. Г. Лапин, В. М. Лукашин Государственное научно-производственное предприятие "Исток", г. Фрязино, Московская обл.
Аннотация:
Предложена модификация обращенной гетероструктуры путем встраивания в структуру легированного акцепторами слоя, формирующего дополнительный потенциальный барьер, уменьшающий поперечный пространственный перенос горячих электронов в подложку. Согласно проведенным расчетам, такая структура имеет разность энергий между уровнями размерного квантования, в несколько раз превышающую энергию оптического фонона в GaAs, и повышенную линейность передаточной характеристики.
Поступила в редакцию: 26.01.2017
Образец цитирования:
А. Б. Пашковский, С. И. Новиков, В. Г. Лапин, В. М. Лукашин, “Двумерный электронный газ в обращенных гетероструктурах с донорно-акцепторным легированием”, Письма в ЖТФ, 43:12 (2017), 42–51; Tech. Phys. Lett., 43:6 (2017), 562–566
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf6197 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v43/i12/p42
|
|