|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
Д. А. Антонов, Д. О. Филатов, А. С. Новиков, А. В. Круглов, И. Н. Антонов, А. В. Здоровейщев, О. Н. Горшков, “Резистивное переключение в отдельных ферромагнитных филаментах мемристорных структур на основе ZrO$_{2}$(Y)/Ni”, ЖТФ, 91:10 (2021), 1474–1478   |
| 2. |
В. А. Воронцов, Д. А. Антонов, А. В. Круглов, И. Н. Антонов, В. Е. Koтомина, В. Г. Шенгуров, С. А. Денисов, В. Ю. Чалков, Д. О. Филатов, О. Н. Горшков, “Демонстрация эффекта резистивного переключения отдельных филаментов в мемристорных структурах Ag/Ge/Si методом атомно-силовой микроскопии”, Письма в ЖТФ, 47:15 (2021), 23–26 |
| 3. |
Д. А. Антонов, А. С. Новиков, Д. О. Филатов, А. В. Круглов, И. Н. Антонов, А. В. Здоровейщев, О. Н. Горшков, “Формирование наноразмерных ферромагнитных филаментов Ni в пленках ZrO$_{2}$(Y)”, Письма в ЖТФ, 47:11 (2021), 30–32 ; D. A. Antonov, A. S. Novikov, D. O. Filatov, A. V. Kruglov, I. N. Antonov, A. V. Zdoroveyshchev, O. N. Gorshkov, “The formation of nanosized ferromagnetic Ni filaments in films of ZrO$_2$(Y)”, Tech. Phys. Lett., 47:7 (2021), 539–541 |
1
|
|
2020 |
| 4. |
С. В. Тихов, В. Г. Шенгуров, С. А. Денисов, И. Н. Антонов, А. В. Круглов, А. И. Белов, Д. О. Филатов, О. Н. Горшков, А. Н. Михайлов, “Резистивное переключение в структурах металл–оксид–полупроводник с наноостровками GeSi на подложке кремния”, ЖТФ, 90:10 (2020), 1741–1749 ; S. V. Tikhov, V. G. Shengurov, S. A. Denisov, I. N. Antonov, A. V. Kruglov, A. I. Belov, D. O. Filatov, O. N. Gorshkov, A. N. Mikhaylov, “Resistive switching in metal–oxide–semiconductor structures with GeSi nanoislands on a silicon substrate”, Tech. Phys., 65:10 (2020), 1668–1676 |
| 5. |
О. Н. Горшков, В. Г. Шенгуров, С. А. Денисов, В. Ю. Чалков, И. Н. Антонов, А. В. Круглов, М. Е. Шенина, В. Е. Котомина, Д. О. Филатов, Д. А. Серов, “Резистивное переключение в мемристорах на основе гетероструктур Ag/Ge/Si”, Письма в ЖТФ, 46:2 (2020), 44–46 ; O. N. Gorshkov, V. G. Shengurov, S. A. Denisov, V. Yu. Chalkov, I. N. Antonov, A. V. Kruglov, M. E. Shenina, V. E. Kotomina, D. O. Filatov, D. A. Serov, “Resistive switching in memristors based on Ag/Ge/Si heterostructures”, Tech. Phys. Lett., 46:1 (2020), 91–93 |
6
|
|
2019 |
| 6. |
В. Я. Алешкин, Н. В. Байдусь, А. А. Дубинов, К. Е. Кудрявцев, С. М. Некоркин, А. В. Круглов, Д. Г. Реунов, “Субмонослойные квантовые точки InGaAs/GaAs, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019), 1159–1163 ; V. Ya. Aleshkin, N. V. Baidus, A. A. Dubinov, K. E. Kudryavtsev, S. M. Nekorkin, A. V. Kruglov, D. G. Reunov, “Submonolayer InGaAs/GaAs quantum dots grown by MOCVD”, Semiconductors, 53:8 (2019), 1138–1142 |
6
|
| 7. |
Н. В. Байдусь, В. А. Кукушкин, С. М. Некоркин, А. В. Круглов, Д. Г. Реунов, “Выращивание методом МОС-гидридной эпитаксии субмонослойных квантовых точек InGaAs/GaAs для возбуждения поверхностных плазмон-поляритонов”, Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019), 345–350 ; N. V. Baidus, V. A. Kukushkin, S. M. Nekorkin, A. V. Kruglov, D. G. Reunov, “MOS-hydride epitaxy growth of InGaAs/GaAs submonolayer quantum dots for the excitation of surface plasmon–polaritons”, Semiconductors, 53:3 (2019), 326–331 |
|
Обратная связь: