Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 8, страницы 1159–1163
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.08.48011.9124 (Mi phts5445) 		 
Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Субмонослойные квантовые точки InGaAs/GaAs, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии

В. Я. Алешкинa, Н. В. Байдусьb, А. А. Дубиновa, К. Е. Кудрявцевa, С. М. Некоркинb, А. В. Кругловb, Д. Г. Реуновb

a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
b Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
PDF полного текста (1219 kB) Список цитирования (6)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.08.48011.9124
Аннотация: Проведен подбор режима роста квантовых точек методом МОС-гидридной эпитаксии для лазерных структур, выращенных на неотклоненных и отклоненных на 2$^\circ$ подложках GaAs и излучающих на длинах волн выше 1.2 мкм при комнатной температуре. В результате экспериментов удалось достичь плотности квантовых точек 4 $\cdot$ 10$^{10}$ см$^{-2}$. В лазерных структурах с 7 слоями квантовых точек наблюдалось стимулированное излучение на длине волны 1.06 мкм при температуре жидкого азота. Пороговая плотность мощности оптической накачки составила около 5 кВт/см$^{2}$.
Ключевые слова: квантовые точки, МОС-гидридная эпитаксия, GaAs/InGaAs.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 18-29-20016
Министерство образования и науки Российской Федерации 0035-2019-0020-С-01
Работа частично выполнена при поддержке гранта Российского фонда фундаментальных исследований № 18-29-20016 и в рамках государственного задания Института физики микроструктур РАН на 2019 г. (№ 0035-2019-0020-С-01).
Поступила в редакцию: 01.04.2019
Исправленный вариант: 11.04.2019
Принята в печать: 11.04.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 8, Pages 1138–1142
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619080037
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. Я. Алешкин, Н. В. Байдусь, А. А. Дубинов, К. Е. Кудрявцев, С. М. Некоркин, А. В. Круглов, Д. Г. Реунов, “Субмонослойные квантовые точки InGaAs/GaAs, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019), 1159–1163; Semiconductors, 53:8 (2019), 1138–1142
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AleBaiDub19}
\by В.~Я.~Алешкин, Н.~В.~Байдусь, А.~А.~Дубинов, К.~Е.~Кудрявцев, С.~М.~Некоркин, А.~В.~Круглов, Д.~Г.~Реунов
\paper Субмонослойные квантовые точки InGaAs/GaAs, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 8
\pages 1159--1163
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5445}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.08.48011.9124}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=41129850}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 8
\pages 1138--1142
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619080037}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5445
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i8/p1159
    • Эта публикация цитируется в следующих 6 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:62
    PDF полного текста:31
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024