Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Новицкий Андрей Павлович

В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 7
Научных статей: 7

Статистика просмотров:
Эта страница:44
Страницы публикаций:394
Полные тексты:116
кандидат физико-математических наук

https://www.mathnet.ru/rus/person183500
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2021
1. А. С. Тукмакова, Н. И. Хахилев, Д. Б. Щеглова, В. Д. Насонов, А. П. Новицкий, И. А. Сергиенко, А. В. Новотельнова, “Анализ механизмов уплотнения термоэлектрических порошков скуттерудитов и сплавов Гейслера в процессе активированного полем спекания”, Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021),  1132–1137  mathnet  elib
2020
2. А. С. Тукмакова, Д. Б. Щеглова, А. П. Новицкий, А. И. Воронин, В. В. Ховайло, А. В. Новотельнова, “Исследование механизмов уплотнения нанопорошков скуттерудитов CoSb$_{3}$ в процессе активированного полем спекания”, Письма в ЖТФ, 46:18 (2020),  45–48  mathnet  elib; A. S. Tukmakova, D. B. Shcheglova, A. P. Novitskii, A. I. Voronin, V. V. Khovailo, A. V. Novotelnova, “Investigation of the mechanisms of compaction of CoSb$_{3}$ skutterudite nanopowders under field-activated sintering”, Tech. Phys. Lett., 46:9 (2020), 931–934
2019
3. А. И. Таранова, А. П. Новицкий, А. И. Воронин, С. В. Таскаев, В. В. Ховайло, “Влияние легирования ванадием на термоэлектрические свойства сплавов Гейслера Fe$_{2}$Ti$_{1-x}$V$_{x}$Sn”, Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019),  777–780  mathnet  elib; A. I. Taranova, A. P. Novitskii, A. I. Voronin, S. V. Taskaev, V. V. Khovaylo, “Influence of V doping on the thermoelectric properties of Fe$_{2}$Ti$_{1-x}$V$_{x}$Sn Heusler alloys”, Semiconductors, 53:6 (2019), 768–771 7
4. Д. С. Панкратова, А. П. Новицкий, К. В. Кусков, И. А. Сергиенко, Д. В. Лейбо, А. Т. Бурков, П. П. Константинов, В. В. Ховайло, “Влияние лантана на транспортные свойства оксиселенидов Bi$_{1-x}$La$_{x}$CuSeO”, Физика и техника полупроводников, 53:5 (2019),  631–634  mathnet  elib; D. S. Pankratova, A. P. Novitskii, K. V. Kuskov, I. A. Serhiienko, D. V. Leybo, A. Burkov, P. P. Konstantinov, V. V. Khovaylo, “Influence of la doping on the transport properties of Bi$_{1-x}$La$_{x}$CuSeO oxyselenides”, Semiconductors, 53:5 (2019), 624–627 2
5. А. П. Новицкий, И. А. Сергиенко, С. В. Новиков, К. В. Кусков, Д. В. Лейбо, Д. С. Панкратова, А. Т. Бурков, В. В. Ховайло, “Влияние замещения висмута празеодимом и лантаном на термоэлектрические свойства оксиселенидов BiCuSeO”, Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019),  226–230  mathnet  elib; A. P. Novitskii, I. A. Serhiienko, S. V. Novikov, K. V. Kuskov, D. V. Leybo, D. S. Pankratova, A. Burkov, V. V. Khovaylo, “Effect of praseodymium and lanthanum substitution for bismuth on the thermoelectric properties of BiCuSeO oxyselenides”, Semiconductors, 53:2 (2019), 215–219 1
2017
6. К. И. Литвинова, А. И. Воронин, М. В. Горшенков, Д. Ю. Карпенков, А. П. Новицкий, В. В. Ховайло, “Термоэлектрические свойства скуттерудитов Ce$_{x}$Nd$_{y}$Co$_{4}$Sb$_{12}$”, Физика и техника полупроводников, 51:7 (2017),  966–969  mathnet  elib; K. I. Litvinova, A. I. Voronin, M. V. Gorshenkov, D. Yu. Karpenkov, A. P. Novitskii, V. V. Khovailo, “Thermoelectric properties of Ce$_{x}$Nd$_{y}$Co$_{4}$Sb$_{12}$ skutterudites”, Semiconductors, 51:7 (2017), 928–931 2
7. А. И. Воронин, В. Ю. Зуева, Д. Ю. Карпенков, Д. О. Московских, А. П. Новицкий, Х. Мики, В. В. Ховайло, “Получение и исследование термоэлектрических свойств сплавов Гейслера Fe$_{2}$TiSn$_{1-x}$Si$_{x}$”, Физика и техника полупроводников, 51:7 (2017),  929–932  mathnet  elib; A. I. Voronin, V. Yu. Zueva, D. Yu. Karpenkov, D. O. Moskovskikh, A. P. Novitskii, H. Miki, V. V. Khovailo, “Preparation and study of the thermoelectric properties of Fe$_{2}$TiSn$_{1-x}$Si$_{x}$ Heusler alloys”, Semiconductors, 51:7 (2017), 891–893 16

Организации
 
  Обратная связь:
 Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024