|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
Д. О. Филатов, М. Е. Шенина, И. А. Роженцов, М. Н. Коряжкина, А. С. Новиков, И. Н. Антонов, А. В. Ершов, А. П. Горшков, О. Н. Горшков, “Влияние оптического излучения на резистивное переключение в МДП-структурах на основе пленок ZrO$_{2}$(Y) с наночастицами Au”, Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021), 754–757   ; D. O. Filatov, M. E. Shenina, I. A. Rozhentsov, M. N. Koryazhkina, A. S. Novikov, I. N. Antonov, A. V. Ershov, A. P. Gorshkov, O. N. Gorshkov, “Effect of optical illumination on resistive switching in MOS stacks based on ZrO$_2$(Y) films with Au nanoparticles”, Semiconductors, 55:9 (2021), 731–734 |
|
2020 |
| 2. |
Д. О. Филатов, Д. А. Антонов, И. Н. Антонов, А. И. Белов, В. Н. Баранова, М. Е. Шенина, О. Н. Горшков, “Резистивное переключение мемристоров на основе стабилизированного диоксида циркония сложными сигналами”, Физика твердого тела, 62:4 (2020), 556–561 ; D. O. Filatov, D. A. Antonov, I. N. Antonov, A. I. Belov, V. N. Baranova, M. E. Shenina, O. N. Gorshkov, “Resistive switching of memristors based on stabilized zirconia by complex signals”, Phys. Solid State, 62:4 (2020), 642–647 |
3
|
| 3. |
О. Н. Горшков, В. Г. Шенгуров, С. А. Денисов, В. Ю. Чалков, И. Н. Антонов, А. В. Круглов, М. Е. Шенина, В. Е. Котомина, Д. О. Филатов, Д. А. Серов, “Резистивное переключение в мемристорах на основе гетероструктур Ag/Ge/Si”, Письма в ЖТФ, 46:2 (2020), 44–46 ; O. N. Gorshkov, V. G. Shengurov, S. A. Denisov, V. Yu. Chalkov, I. N. Antonov, A. V. Kruglov, M. E. Shenina, V. E. Kotomina, D. O. Filatov, D. A. Serov, “Resistive switching in memristors based on Ag/Ge/Si heterostructures”, Tech. Phys. Lett., 46:1 (2020), 91–93 |
5
|
|
2019 |
| 4. |
Е. В. Окулич, М. Н. Коряжкина, Д. С. Королев, А. И. Белов, М. Е. Шенина, А. Н. Михайлов, Д. И. Тетельбаум, И. Н. Антонов, Ю. А. Дудин, “Влияние облучения ионами Si$^{+}$ на резистивное переключение мемристивных структур на основе стабилизированного диоксида циркония”, Письма в ЖТФ, 45:14 (2019), 3–6 ; E. V. Okulich, M. N. Koryazhkina, D. S. Korolev, A. I. Belov, M. E. Shenina, A. N. Mikhaylov, D. I. Tetelbaum, I. N. Antonov, Yu. A. Dudin, “The effect of irradiation with Si$^{+}$ ions on the resistive switching of memristive structures based on yttria stabilized zirconia”, Tech. Phys. Lett., 45:7 (2019), 690–693 |
2
|
|
2018 |
| 5. |
С. Ю. Зубков, И. Н. Антонов, О. Н. Горшков, А. П. Касаткин, Р. Н. Крюков, Д. Е. Николичев, Д. А. Павлов, М. Е. Шенина, “Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия пленок стабилизированного диоксида циркония со встроенными наночастицами Au, сформированными в процессе облучения ионами золота”, Физика твердого тела, 60:3 (2018), 591–595 ; S. Yu. Zubkov, I. N. Antonov, O. N. Gorshkov, A. P. Kasatkin, R. N. Kriukov, D. E. Nikolichev, D. A. Pavlov, M. E. Shenina, “X-ray photoelectron spectroscopy of stabilized zirconia films with embedded Au nanoparticles formed under irradiation with gold ions”, Phys. Solid State, 60:3 (2018), 598–602 |
1
|
| 6. |
D. O. Filatov, I. N. Antonov, D. Yu. Sinutkin, D. A. Liskin, A. P. Gorshkov, O. N. Gorshkov, V. E. Kotomina, M. E. Shenina, S. V. Tikhov, I. S. Korotaeva, “Plasmon resonance induced photoconductivity in the yttria stabilized zirconia films with embedded Au nanoclusters”, Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018), 470 ; Semiconductors, 52:4 (2018), 465–467 |
3
|
|
2016 |
| 7. |
О. Н. Горшков, И. Н. Антонов, Д. О. Филатов, М. Е. Шенина, А. П. Касаткин, Д. А. Павлов, А. И. Бобров, “Формирование плотных массивов наночастиц золота в тонких пленках стабилизированного диоксида циркония методом магнетронного распыления”, Письма в ЖТФ, 42:1 (2016), 72–79 ; O. N. Gorshkov, I. N. Antonov, D. O. Filatov, M. E. Shenina, A. P. Kasatkin, D. A. Pavlov, A. I. Bobrov, “Forming dense arrays of gold nanoparticles in thin films of yttria stabilized zirconia by magnetron sputtering”, Tech. Phys. Lett., 42:1 (2016), 36–39 |
13
|
|
|
|
2009 |
| 8. |
В. Ч. Жуковский, О. Н. Горшков, В. Д. Кревчик, М. Б. Семенов, Ю. Г. Смирнов, Е. В. Чупрунов, В. А. Рудин, Н. Ю. Скибицкая, П. В. Кревчик, Д. О. Филатов, Д. А. Антонов, М. А. Лапшина, М. Е. Шенина, Я. Кенджи, “Особенности двумерных туннельных бифуркаций в условиях внешнего электрического поля”, Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки, 2009, № 2, 123–135 |
|
Обратная связь: