|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
А. С. Пузанов, В. В. Бибикова, И. Ю. Забавичев, Е. С. Оболенская, А. А. Потехин, Е. А. Тарасова, Н. В. Востоков, В. А. Козлов, С. В. Оболенский, “Моделирование реакции сверхвысокочастотного низкобарьерного неохлаждаемого диода Мотта на воздействие тяжелых заряженных частиц космического пространства и фемтосекундных лазерных импульсов”, Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021), 743–747   ; A. S. Puzanov, V. V. Bibikova, I. Yu. Zabavichev, E. S. Obolenskaya, A. A. Potekhin, E. A. Tarasova, N. V. Vostokov, V. A. Kozlov, S. V. Obolensky, “Modeling the response of a microwave low-barrier uncooled Mott diode to the action of heavy ions of outer space and femtosecond laser pulses”, Semiconductors, 55:10 (2021), 780–784 |
| 2. |
А. С. Пузанов, В. В. Бибикова, И. Ю. Забавичев, Е. С. Оболенская, Е. А. Тарасова, Н. В. Востоков, С. В. Оболенский, “Моделирование реакции низкобарьерного диода Мотта на воздействие тяжелых заряженных частиц космического пространства”, Письма в ЖТФ, 47:6 (2021), 51–54 ; A. S. Puzanov, V. V. Bibikova, I. Yu. Zabavichev, E. S. Obolenskaya, E. A. Tarasova, N. V. Vostokov, S. V. Obolensky, “Simulation of the response of a low-barrier Mott diode to the influence of heavy charged particles from outer space”, Tech. Phys. Lett., 47:4 (2021), 305–308 |
1
|
|
2020 |
| 3. |
И. Ю. Забавичев, А. С. Пузанов, С. В. Оболенский, В. А. Козлов, “Влияние потенциала рассеяния на радиационных дефектах на перенос носителей заряда в GaAs-структурах”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020), 945–951 ; I. Yu. Zabavichev, A. S. Puzanov, S. V. Obolensky, V. A. Kozlov, “Impact of the potential of scattering at radiation-induced defects on carrier transport in GaAs structures”, Semiconductors, 54:9 (2020), 1134–1140 |
|
2019 |
| 4. |
И. Ю. Забавичев, А. А. Потехин, А. С. Пузанов, С. В. Оболенский, В. А. Козлов, “Моделирование образования каскада смещений и переходных ионизационных процессов в кремниевых полупроводниковых структурах при нейтронном воздействии”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019), 1279–1284 ; I. Yu. Zabavichev, A. A. Potekhin, A. S. Puzanov, S. V. Obolensky, V. A. Kozlov, “Simulation of the formation of a cascade of displacements and transient ionization processes in silicon semiconductor structures under neutron exposure”, Semiconductors, 53:9 (2019), 1249–1254 |
5
|
|
2017 |
| 5. |
И. Ю. Забавичев, А. А. Потехин, А. С. Пузанов, С. В. Оболенский, В. А. Козлов, “Деградация характеристик биполярных транзисторов на основе GaAs с тонкой базой при возникновении в них нанометровых кластеров радиационных дефектов под действием нейтронного облучения”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017), 1520–1524 ; I. Yu. Zabavichev, A. A. Potekhin, A. S. Puzanov, S. V. Obolensky, V. A. Kozlov, “Degradation of the characteristics of GaAs bipolar transistors with a thin base due to the formation in them of nanometer-sized clusters of radiation-induced defects as a result of irradiation with neutrons”, Semiconductors, 51:11 (2017), 1466–1471 |
2
|
| 6. |
И. Ю. Забавичев, Е. С. Оболенская, А. А. Потехин, А. С. Пузанов, С. В. Оболенский, В. А. Козлов, “Транспорт горячих носителей заряда в Si, GaAs, InGaAs и GaN субмикронных полупроводниковых структурах с нанометровыми кластерами радиационных дефектов”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017), 1489–1492 ; I. Yu. Zabavichev, E. S. Obolenskaya, A. A. Potekhin, A. S. Puzanov, S. V. Obolensky, V. A. Kozlov, “Transport of hot charge carriers in Si, GaAs, InGaAs, and GaN submicrometer semiconductor structures with nanometer-scale clusters of radiation-induced defects”, Semiconductors, 51:11 (2017), 1435–1438 |
4
|
|
Обратная связь: