|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
И. В. Илькив, К. П. Котляр, Д. А. Кириленко, А. В. Осипов, И. П. Сошников, А. Н. Терпицкий, Г. Э. Цырлин, “Формирование гексагональной фазы германия на поверхности нитевидных нанокристаллов AlGaAs методом молекулярно-пучковой эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021), 621–624   ; I. V. Ilkiv, K. P. Kotlyar, D. A. Kirilenko, A. V. Osipov, I. P. Sotnikov, A. N. Terpitsky, G. E. Cirlin, “Formation of hexagonal germanium on AlGaAs nanowire surfaces by molecular-beam epitaxy”, Semiconductors, 55:8 (2021), 678–681 |
2
|
|
2020 |
| 2. |
А. К. Кавеев, А. Г. Банщиков, А. Н. Терпицкий, В. А. Голяшов, О. Е. Терещенко, К. А. Кох, Д. А. Естюнин, А. М. Шикин, “Раскрытие энергетической щели в области точки Дирака при осаждении кобальта на поверхность (0001) топологического изолятора BiSbTeSe$_{2}$”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020), 859–864 ; A. K. Kaveev, A. G. Banshchikov, A. N. Terpitsky, V. A. Golyashov, O. E. Tereshchenko, K. A. Kokh, D. A. Estyunin, A. M. Shikin, “Energy-gap opening near the Dirac point after the deposition of cobalt on the (0001) surface of the topological insulator BiSbTeSe$_{2}$”, Semiconductors, 54:9 (2020), 1051–1055 |
3
|
|
Обратная связь: