|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
Д. А. Кудряшов, А. А. Максимова, Е. А. Вячеславова, А. В. Уваров, И. А. Морозов, А. И. Баранов, А. О. Монастыренко, А. С. Гудовских, “Исследование влияния особенностей конструкции установки магнетронного распыления на электрические и оптические свойства пленок оксида индия-олова”, Физика и техника полупроводников, 55:4 (2021), 360–364   ; D. A. Kudriashov, A. A. Maksimova, E. A. Vyacheslavova, A. V. Uvarov, I. A. Morozov, A. I. Baranov, A. O. Monastyrenko, A. S. Gudovskikh, “Study of the influence of design features of a magnetron sputtering chamber on the electrical and optical properties of indium-tin oxide films”, Semiconductors, 55:4 (2021), 410–414 |
| 2. |
Д. А. Кудряшов, А. С. Гудовских, А. А. Максимова, А. И. Баранов, А. В. Уваров, И. А. Морозов, А. О. Монастыренко, “Влияние условий формирования пленок In$_{2}$O$_{3}$–SnO$_{2}$ методом магнетронного распыления на время жизни носителей заряда в кремнии”, Письма в ЖТФ, 47:24 (2021), 31–33 |
| 3. |
А. И. Баранов, Д. А. Кудряшов, А. В. Уваров, И. А. Морозов, К. Ю. Шугуров, А. А. Максимова, Е. А. Вячеславова, А. С. Гудовских, “Исследование диодов Шоттки на основе массива кремниевых волокон, полученных сухим криогенным травлением”, Письма в ЖТФ, 47:18 (2021), 47–50 |
| 4. |
А. И. Баранов, Д. А. Кудряшов, А. В. Уваров, И. А. Морозов, А. А. Максимова, Е. А. Вячеславова, А. С. Гудовских, “Исследование свойств солнечных элементов на основе селективного контакта MoO$_{x}$/Si с помощью спектроскопии полной проводимости”, Письма в ЖТФ, 47:16 (2021), 24–27 ; A. I. Baranov, D. A. Kudriashov, A. V. Uvarov, I. A. Morozov, A. A. Maksimova, E. A. Vyacheslavova, A. S. Gudovskikh, “Admittance spectroscopy of solar cells based on selective contact MoO$_{x}$/Si junction”, Tech. Phys. Lett., 47:11 (2021), 785–788 |
3
|
| 5. |
А. В. Уваров, А. И. Баранов, Е. А. Вячеславова, Н. А. Калюжный, Д. А. Кудряшов, А. А. Максимова, И. А. Морозов, С. А. Минтаиров, Р. А. Салий, А. С. Гудовских, “Формирование гетероструктур GaP/Si-фотопреобразователей с помощью комбинации методов МОС-гидридной эпитаксии и атомно-слоевого плазмохимического осаждения”, Письма в ЖТФ, 47:14 (2021), 51–54 ; A. V. Uvarov, A. I. Baranov, E. A. Vyacheslavova, N. A. Kalyuzhnyy, D. A. Kudriashov, A. A. Maksimova, I. A. Morozov, S. A. Mintairov, R. A. Salii, A. S. Gudovskikh, “Formation of heterostructures of GaP/Si photoconverters by the combined method of MOVPE and PEALD”, Tech. Phys. Lett., 47:10 (2021), 730–733 |
4
|
| 6. |
А. С. Гудовских, Д. А. Кудряшов, А. И. Баранов, А. В. Уваров, И. А. Морозов, “Формирование селективного контакта BP/Si с помощью низкотемпературного плазмохимического осаждения”, Письма в ЖТФ, 47:2 (2021), 49–51 ; A. S. Gudovskikh, D. A. Kudriashov, A. I. Baranov, A. V. Uvarov, I. A. Morozov, “A selective BP/Si contact formed by low-temperature plasma-enhanced atomic layer deposition”, Tech. Phys. Lett., 47:1 (2021), 96–98 |
5
|
|
2020 |
| 7. |
Д. А. Кудряшов, А. С. Гудовских, А. А. Максимова, А. И. Баранов, А. В. Уваров, И. А. Морозов, “Применение селективного контакта MoO$_{x}$/$p$-Si для оценки деградации приповерхностной области кремния”, Письма в ЖТФ, 46:24 (2020), 37–40 ; D. A. Kudriashov, A. S. Gudovskikh, A. A. Maksimova, A. I. Baranov, A. V. Uvarov, I. A. Morozov, “Using MoO$_{x}$/$p$-Si selective contact for evaluation of the degradation of a near-surface region of silicon”, Tech. Phys. Lett., 46:12 (2020), 1245–1248 |
|
2018 |
| 8. |
Д. А. Кудряшов, А. С. Гудовских, А. И. Баранов, “Прецизионное химическое травление эпитаксиальных слоев GaP(NAs) для формирования монолитных оптоэлектронных приборов”, Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018), 1668–1674 ; D. A. Kudriashov, A. S. Gudovskikh, A. I. Baranov, “Precision chemical etching of GaP(NAs) epitaxial layers for the formation of monolithic optoelectronic devices”, Semiconductors, 52:13 (2018), 1775–1781 |
1
|
|
Обратная связь: