|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2022 |
1. |
Ф. И. Зубов, Ю. М. Шерняков, Н. Ю. Гордеев, С. А. Минтаиров, Н. А. Калюжный, М. В. Максимов, Н. В. Крыжановская, Э. И. Моисеев, А. М. Надточий, А. Е. Жуков, “Сверхвысокое модовое усиление в инжекционных полосковых лазерах и микролазерах на основе квантовых точек InGaAs/GaAs”, Квантовая электроника, 52:7 (2022), 593–596 |
|
2021 |
2. |
А. Е. Жуков, Н. В. Крыжановская, Э. И. Моисеев, А. С. Драгунова, А. М. Надточий, М. В. Максимов, Н. Ю. Гордеев, “Увеличение эффективности тандема полупроводниковый лазер-оптический усилитель на основе самоорганизующихся 8s квантовых точек”, Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021), 1223–1228 |
3. |
А. Е. Жуков, Н. В. Крыжановская, Э. И. Моисеев, А. М. Надточий, Ф. И. Зубов, М. В. Фетисова, М. В. Максимов, Н. Ю. Гордеев, “Мощность насыщения оптического усилителя на основе самоорганизующихся квантовых точек”, Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021), 820–825 ; A. E. Zhukov, N. V. Kryzhanovskaya, È. I. Moiseev, A. M. Nadtochiy, F. I. Zubov, M. V. Fetisova, M. V. Maksimov, N. Yu. Gordeev, “Saturation power of a semiconductor optical amplifier based on self-organized quantum dots”, Semiconductors, 55 (2021), s67–s71 |
1
|
4. |
Ю. М. Шерняков, Н. Ю. Гордеев, А. С. Паюсов, А. А. Серин, Г. О. Корнышов, А. М. Надточий, М. М. Кулагина, С. А. Минтаиров, Н. А. Калюжный, М. В. Максимов, А. Е. Жуков, “Влияние конструкции активной области и волновода на характеристики лазеров на основе структур квантовые ямы-точки InGaAs/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 55:3 (2021), 256–263 ; Yu. M. Shernyakov, N. Yu. Gordeev, A. S. Payusov, A. A. Serin, G. O. Kornyshov, A. M. Nadtochiy, M. M. Kulagina, S. A. Mintairov, N. A. Kalyuzhnyy, M. V. Maksimov, A. E. Zhukov, “Effect of the active region and waveguide design on the performance of edge-emitting lasers based on InGaAs/GaAs quantum well-dots”, Semiconductors, 55:3 (2021), 333–340 |
4
|
5. |
А. С. Паюсов, М. И. Митрофанов, Г. О. Корнышов, А. А. Серин, Г. В. Вознюк, М. М. Кулагина, В. П. Евтихиев, Н. Ю. Гордеев, М. В. Максимов, S. Breuer, “Модификация гребневых волноводов полупроводниковых лазеров фокусированным ионным пучком”, Письма в ЖТФ, 47:24 (2021), 51–54 |
|
2019 |
6. |
А. М. Надточий, Ю. М. Шерняков, М. М. Кулагина, А. С. Паюсов, Н. Ю. Гордеев, М. В. Максимов, А. Е. Жуков, T. Denneulin, N. Cherkashin, В. А. Щукин, Н. Н. Леденцов, “Инжекционные лазеры InGaAlP/GaAs оранжевого оптического диапазона ($\sim$600 нм)”, Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019), 1708–1713 ; A. M. Nadtochiy, Yu. M. Shernyakov, M. M. Kulagina, A. S. Payusov, N. Yu. Gordeev, M. V. Maksimov, A. E. Zhukov, T. Denneulin, N. Cherkashin, V. A. Shchukin, N. N. Ledentsov, “InGaAlP/GaAs injection lasers of orangeoptical range ($\sim$600nm)”, Semiconductors, 53:12 (2019), 1699–1704 |
7. |
Н. Ю. Гордеев, А. С. Паюсов, М. В. Максимов, “Полупроводниковая лазерная квазирешетка с фазированными одномодовыми каналами излучения”, Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019), 1444–1447 ; N. Yu. Gordeev, A. S. Payusov, M. V. Maksimov, “Semiconductor laser quasi-array with phase-locked single-mode emitting channels”, Semiconductors, 53:10 (2019), 1405–1408 |
8. |
Н. Ю. Гордеев, А. С. Паюсов, И. С. Мухин, А. А. Серин, М. М. Кулагина, Ю. А. Гусева, Ю. М. Шерняков, Ю. М. Задиранов, М. В. Максимов, “Дискриминация поперечных мод в торцевых полупроводниковых лазерах с пространственной модуляцией отражения выходных зеркал”, Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019), 211–215 ; N. Yu. Gordeev, A. S. Payusov, I. S. Mukhin, A. A. Serin, M. M. Kulagina, Yu. A. Guseva, Yu. M. Shernyakov, Yu. M. Zadiranov, M. V. Maksimov, “Lateral mode discrimination in edge-emitting lasers with spatially modulated facet reflectance”, Semiconductors, 53 (2019), 200–204 |
1
|
9. |
А. М. Надточий, С. А. Минтаиров, Н. А. Калюжный, Ю. М. Шерняков, Г. О. Корнышов, А. А. Серин, А. С. Паюсов, В. Н. Неведомский, Н. Ю. Гордеев, М. В. Максимов, А. Е. Жуков, “Лазеры на основе квантовых яма-точек, излучающие в оптических диапазонах 980 и 1080 nm”, Письма в ЖТФ, 45:4 (2019), 42–45 ; A. M. Nadtochiy, S. A. Mintairov, N. A. Kalyuzhnyy, Yu. M. Shernyakov, G. O. Kornyshov, A. A. Serin, A. S. Payusov, V. N. Nevedomskiy, N. Yu. Gordeev, M. V. Maksimov, A. E. Zhukov, “Lasers based on quantum well-dots emitting in the 980- and 1080-nm optical ranges”, Tech. Phys. Lett., 45:2 (2019), 163–166 |
2
|
|
2018 |
10. |
А. Е. Жуков, Н. Ю. Гордеев, Ю. М. Шерняков, А. С. Паюсов, А. А. Серин, М. М. Кулагина, С. А. Минтаиров, Н. А. Калюжный, М. В. Максимов, “Снижение внутренних потерь и теплового сопротивления в лазерных диодах со связанными волноводами”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018), 1351–1356 ; A. E. Zhukov, N. Yu. Gordeev, Yu. M. Shernyakov, A. S. Payusov, A. A. Serin, M. M. Kulagina, S. A. Mintairov, N. A. Kalyuzhnyy, M. V. Maksimov, “Reduction of internal loss and thermal resistance in diode lasers with coupled waveguides”, Semiconductors, 52:11 (2018), 1462–1467 |
5
|
11. |
М. В. Максимов, А. М. Надточий, Ю. М. Шерняков, А. С. Паюсов, А. П. Васильев, В. М. Устинов, А. А. Сeрин, Н. Ю. Гордеев, А. Е. Жуков, “Влияние конструкции эпитаксиальной структуры и параметров роста на характеристики метаморфных лазеров оптического диапазона 1.46 мкм на основе квантовых точек на положках GaAs”, Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018), 1191–1196 ; M. V. Maksimov, A. M. Nadtochiy, Yu. M. Shernyakov, A. S. Payusov, A. P. Vasil'ev, V. M. Ustinov, A. A. Serin, N. Yu. Gordeev, A. E. Zhukov, “Effect of epitaxial-structure design and growth parameters on the characteristics of metamorphic lasers of the 1.46-$\mu$m optical range based on quantum dots grown on GaAs substrates”, Semiconductors, 52:10 (2018), 1311–1316 |
2
|
12. |
Ф. И. Зубов, М. В. Максимов, Н. Ю. Гордеев, Ю. С. Полубавкина, А. Е. Жуков, “Подавление волноводной рекомбинации за счет использования парных асимметричных барьеров в лазерных гетероструктурах”, Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018), 260–265 ; F. I. Zubov, M. V. Maksimov, N. Yu. Gordeev, Yu. S. Polubavkina, A. E. Zhukov, “Suppression of recombination in the waveguide of a laser heterostructure by means of double asymmetric barriers”, Semiconductors, 52:2 (2018), 248–253 |
13. |
А. Е. Жуков, Н. Ю. Гордеев, Ю. М. Шерняков, А. С. Паюсов, А. А. Серин, М. М. Кулагина, С. А. Минтаиров, Н. А. Калюжный, М. В. Максимов, “Мощностные характеристики и температурная зависимость угловой расходимости излучения лазеров с приповерхностной активной областью”, Письма в ЖТФ, 44:15 (2018), 46–51 ; A. E. Zhukov, N. Yu. Gordeev, Yu. M. Shernyakov, A. S. Payusov, A. A. Serin, M. M. Kulagina, S. A. Mintairov, N. A. Kalyuzhnyy, M. V. Maksimov, “Power characteristics and temperature dependence of the angular beam divergence of lasers with a near-surface active region”, Tech. Phys. Lett., 44:8 (2018), 675–677 |
3
|
|