Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Хромов В С

В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 6
Научных статей: 6

Статистика просмотров:
Эта страница:75
Страницы публикаций:422
Полные тексты:191

https://www.mathnet.ru/rus/person182988
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2021
1. Н. Т. Баграев, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, Л. Е. Клячкин, А. М. Маляренко, В. С. Хромов, “Регистрация терагерцового излучения с помощью наноструктур карбида кремния”, Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021),  1195–1202  mathnet  elib 2
2. Н. Т. Баграев, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, Л. Е. Клячкин, А. М. Маляренко, В. С. Хромов, “Терагерцовое излучение из наноструктур карбида кремния”, Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  1027–1033  mathnet  elib 3
3. Н. Т. Баграев, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, В. В. Романов, Л. Е. Клячкин, А. М. Маляренко, В. С. Хромов, “Магнитные свойства тонких эпитаксиальных слоев SiC, выращенных методом самосогласованного замещения атомов на поверхностях монокристаллического кремния”, Физика и техника полупроводников, 55:2 (2021),  103–111  mathnet  elib; N. T. Bagraev, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, V. V. Romanov, L. E. Klyachkin, A. M. Malyarenko, V. S. Khromov, “Magnetic properties of thin epitaxial SiC layers grown by the atom-substitution method on single-crystal silicon surfaces”, Semiconductors, 55:2 (2021), 137–145 13
2020
4. Н. Т. Баграев, П. А. Головин, Л. Е. Клячкин, А. М. Mаляренко, А. П. Преснухина, Н. И. Руль, А. С. Реуков, В. С. Хромов, “Источники и приемники терагерцевого излучения на основе микрорезонаторов, встроенных в краевые каналы кремниевых наносандвичей”, ЖТФ, 90:10 (2020),  1663–1671  mathnet  elib; N. T. Bagraev, P. A. Golovin, L. E. Klyachkin, A. M. Malyarenko, A. P. Presnukhina, N. I. Rul', A. S. Reukov, V. S. Khromov, “Terahertz radiation sources and detectors based on optical microcavities embedded in the edge channels of silicon nanosandwiches”, Tech. Phys., 65:10 (2020), 1591–1599 1
2018
5. N. T. Bagraev, L. E. Klyachkin, V. S. Khromov, A. M. Malyarenko, V. A. Mashkov, T. V. Matveev, V. V. Romanov, N. I. Rul, K. B. Taranets, “High temperature quantum kinetic effects in silicon nanosandwiches”, Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018),  473  mathnet  elib; Semiconductors, 52:4 (2018), 478–484 2
6. Д. М. Самосват, О. П. Чикалова-Лузина, В. С. Хромов, А. Г. Зегря, Г. Г. Зегря, “Механизм генерации синглетного кислорода в присутствии возбужденного нанопористого кремния”, Письма в ЖТФ, 44:11 (2018),  53–62  mathnet  elib; D. M. Samosvat, O. P. Chikalova-Luzina, V. S. Khromov, A. G. Zegrya, G. G. Zegrya, “The mechanism of generation of singlet oxygen in the presence of excited nanoporous silicon”, Tech. Phys. Lett., 44:6 (2018), 479–482 4

Организации
 
  Обратная связь:
 Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024