|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2023 |
| 1. |
Т. Н. Осмоловская, А. А. Фещенко, А. В. Станчик, “Формирование, структурные и морфологические свойства тонких пленок прекурсоров Cu-Sn-Ni”, ПФМТ, 2023, № 1(54), 38–42  |
|
2021 |
| 2. |
И. В. Боднарь, А. А. Фещенко, В. В. Хорошко, В. Н. Павловский, И. Е. Свитенков, Г. П. Яблонский, “Температурная зависимость ширины запрещенной зоны монокристаллов AgIn$_{8}$S$_{12.5}$”, Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021), 669–672  |
| 3. |
И. В. Боднарь, А. А. Фещенко, В. В. Хорошко, “Тепловое расширение и теплопроводность твердых растворов (In$_{2}$S$_{3}$)$_{x}\cdot$ (AgIn$_{5}$S$_{8}$)$_{1-x}$”, Физика и техника полупроводников, 55:2 (2021), 99–102 ; I. V. Bondar', A. A. Feshchenko, V. V. Khoroshko, “Thermal expansion and thermal conductivity of (In$_{2}$S$_{3}$)$_{x}$ (AgIn$_{5}$S$_{8}$)$_{1-x}$ alloys”, Semiconductors, 55:2 (2021), 133–136 |
2
|
|
2020 |
| 4. |
И. В. Боднарь, А. А. Фещенко, В. В. Хорошко, “Ширина запрещенной зоны монокристаллов твердых растворов (In$_{2}$S$_3$)$_{x}$(AgIn$_{5}$S$_8$)$_{1-x}$”, Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020), 1350–1354 ; I. V. Bondar', A. A. Feshchenko, V. V. Khoroshko, “Band gap of (In$_{2}$S$_3$)$_{x}$(AgIn$_{5}$S$_8$)$_{1-x}$ single-crystal alloys”, Semiconductors, 54:12 (2020), 1611–1615 |
2
|
|
Обратная связь: