Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 2, страницы 99–102
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.02.50492.9534
(Mi phts5072)
 

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Неэлектронные свойства полупроводников (атомная структура, диффузия)

Тепловое расширение и теплопроводность твердых растворов (In$_{2}$S$_{3}$)$_{x}\cdot$ (AgIn$_{5}$S$_{8}$)$_{1-x}$

И. В. Боднарь, А. А. Фещенко, В. В. Хорошко

Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
Аннотация: Исследованы тепловое расширение и теплопроводность монокристаллов соединений In$_{2}$S$_{3}$, AgIn$_{5}$S$_{8}$ и твердых растворов (In$_{2}$S$_{3}$)$_{x}\cdot$ (AgIn$_{5}$S$_{8}$)$_{1-x}$, выращенных методом Бриджмена. Установлено, что коэффициент теплового расширения с составом (с величиной $x$) изменяется линейно, теплопроводность имеет минимум при эквимолярном составе. По экспериментальным значениям коэффициента теплового расширения рассчитаны температуры Дебая и среднеквадратичные динамические смещения. Показано, что с увеличением содержания в твердых растворах атомов серебра температура Дебая увеличивается, а среднеквадратичные динамические смещения атомов в кристаллической решетке уменьшаются.
Ключевые слова: In$_{2}$S$_{3}$, AgIn$_{5}$S$_{8}$, тепловое расширение, теплопроводность, температура Дебая, среднеквадратичное смещение атомов.
Финансовая поддержка Номер гранта
Белорусский республиканский фонд фундаментальных исследований Т20МВ-007
Работа выполнена при поддержке Белорусского республиканского фонда фундаментальных исследований (проект Т20МВ-007).
Поступила в редакцию: 14.10.2020
Исправленный вариант: 19.10.2020
Принята в печать: 19.10.2020
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2021, Volume 55, Issue 2, Pages 133–136
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782621020081
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: И. В. Боднарь, А. А. Фещенко, В. В. Хорошко, “Тепловое расширение и теплопроводность твердых растворов (In$_{2}$S$_{3}$)$_{x}\cdot$ (AgIn$_{5}$S$_{8}$)$_{1-x}$”, Физика и техника полупроводников, 55:2 (2021), 99–102; Semiconductors, 55:2 (2021), 133–136
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BonFesKho21}
\by И.~В.~Боднарь, А.~А.~Фещенко, В.~В.~Хорошко
\paper Тепловое расширение и теплопроводность твердых растворов (In$_{2}$S$_{3}$)$_{x}\cdot$ (AgIn$_{5}$S$_{8}$)$_{1-x}$
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2021
\vol 55
\issue 2
\pages 99--102
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5072}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2021.02.50492.9534}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=44859592}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2021
\vol 55
\issue 2
\pages 133--136
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782621020081}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5072
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i2/p99
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:48
    PDF полного текста:29
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024