|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
Н. А. Абдуллаев, Х. В. Алигулиева, В. Н. Зверев, З. С. Алиев, И. Р. Амирасланов, М. Б. Бабанлы, З. А. Джахангирли, Е. Н. Алиева, Х. Н. Ахмедова, Т. Г. Мамедов, М. М. Отроков, А. М. Шикин, Н. Т. Мамедов, Е. В. Чулков, “Механизм переноса заряда в новом магнитном топологическом изоляторе MnBi$_{0.5}$Sb$_{1.5}$Te$_{4}$”, Физика твердого тела, 63:8 (2021), 1062–1067   ; N. A. Abdullaev, Kh. V. Aliguliyeva, V. N. Zverev, Z. S. Aliyev, I. R. Amireslanov, M. B. Babanly, Z. A. Jahangirli, E. N. Aliyeva, Kh. N. Akhmedova, T. G. Mamedov, M. M. Otrokov, A. M. Shikin, N. T. Mamedov, E. V. Chulkov, “The charge transport mechanism in a new magnetic topological insulator MnBi$_{0.5}$Sb$_{1.5}$Te$_{4}$”, Phys. Solid State, 63:7 (2021), 1120–1125 |
2
|
|
2019 |
| 2. |
Р. Р. Гусейнов, В. А. Танрывердиев, G. L. Belenky, G. Kipshidze, Е. Н. Алиева, Х. В. Алигулиева, Э. Г. Ализаде, Х. Н. Ахмедова, Н. А. Абдуллаев, Н. Т. Мамедов, В. Н. Зверев, “Электрические и оптические свойства нерелаксированных гетероэпитаксиальных структур InAs$_{1-x}$Sb$_{x}$”, Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019), 922–926 ; R. R. Guseynov, V. A. Tanriverdiyev, G. L. Belenky, G. Kipshidze, E. N. Aliyeva, Kh. V. Aliguliyeva, E. G. Alizade, Kh. N. Akhmedova, N. A. Abdullaev, N. T. Mamedov, V. N. Zverev, “Electrical and optical properties of unrelaxed InAs$_{1-x}$Sb$_{x}$ heteroepitaxial structures”, Semiconductors, 53:7 (2019), 906–910 |
2
|
| 3. |
А. Ю. Гамзаева, Е. Г. Ализаде, Н. Т. Мамедов, Н. А. Абдуллаев, И. Р. Амирасланов, Е. Н. Алиева, Х. Н. Ахмедова, Г. Х. Аждаров, К. Ш. Кахраманов, С. А. Немов, “Оптические свойства полиэтилена, наполненного нанокристаллитами Bi$_{2}$Te$_{3}$”, Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019), 235–240 ; A. Yu. Gamzayeva, E. G. Alizade, N. T. Mamedov, N. A. Abdullaev, I. R. Amireslanov, E. N. Aliyeva, Kh. N. Akhmedova, G. H. Azhdarov, K. Sh. Kahramanov, S. A. Nemov, “Optical properties of polyethylene filled with Bi$_{2}$Te$_{3}$ nanocrystallites”, Semiconductors, 53:2 (2019), 224–228 |
5
|
|
Обратная связь: