|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
G. A. Illarionov, D. S. Kolchanov, V. V. Chrishtop, I. A. Kasatkin, A. V. Vinogradov, M. I. Morozov, “Study of the resistive switching and electrode degradation in Al/TiO$_2$/FTO thin films upon thermal treatment in reducing atmosphere”, Наносистемы: физика, химия, математика, 12:6 (2021), 783–791    |
1
|
| 2. |
П. В. Середин, А. С. Леньшин, Abduljabbar Riyad Khuder, Д. Л. Голощапов, М. А. Хараджиди, И. Н. Арсентьев, И. А. Касаткин, “Свойства податливых подложек на основе пористого кремния, сформированных двухстадийным травлением”, Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021), 1021–1026 |
| 3. |
П. В. Середин, К. А. Барков, Д. Л. Голощапов, А. С. Леньшин, Ю. Ю. Худяков, И. Н. Арсентьев, А. А. Лебедев, Ш. Ш. Шарофидинов, А. М. Мизеров, И. А. Касаткин, T. Prutskij, “Влияние предобработки подложки кремния на свойства пленок GaN, выращенных методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021), 704–710 ; P. V. Seredin, K. A. Barkov, D. L. Goloshchapov, A. S. Len'shin, Yu. Yu. Khudyakov, I. N. Arsent'ev, A. A. Lebedev, Sh. Sh. Sharofidinov, A. M. Mizerov, I. A. Kasatkin, T. Prutskij, “Effect of pretreatment of the silicon substrate on the properties of GaN films grown by chloride–hydride vapor-phase epitaxy”, Semiconductors, 55:12 (2021), 995–1001 |
|
2020 |
| 4. |
И. П. Добровольская, К. В. Малафеев, Ю. А. Нащекина, И. А. Касаткин, Е. Н. Попова, В. Е. Юдин, “Влияние хлорида аммония на структуру наночастиц гидроксиапатита и пролиферативную активность мезенхимных стромальных клеток”, ЖТФ, 90:9 (2020), 1596–1600 ; I. P. Dobrovol'skaya, K. V. Malafeev, Yu. A. Nashchekina, I. A. Kasatkin, E. N. Popova, V. E. Yudin, “The effect of ammonium chloride on the structure of hydroxyapatite nanoparticles and the proliferative activity of mesenchymal stromal cells”, Tech. Phys., 65:9 (2020), 1530–1534 |
| 5. |
С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, А. И. Романычев, И. А. Касаткин, А. С. Лошаченко, “Низкотемпературный рост кубической фазы CdS методом атомно-слоевого осаждения на гибридных подложках SiC/Si”, Письма в ЖТФ, 46:21 (2020), 3–6 ; S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, A. I. Romanychev, I. A. Kasatkin, A. S. Loshachenko, “Low-temperature growth of the CdS cubic phase by atomic-layer deposition on SiC/Si hybrid substrates”, Tech. Phys. Lett., 46:11 (2020), 1049–1052 |
3
|
|
Обратная связь: