|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
| 1. |
В. М. Мухортов, Д. В. Стрюков, С. В. Бирюков, Ю. И. Головко, “Переключение поляризации вдоль подложки в тонких пленках Bi$_{4}$Ti$_{3}$O$_{12}$ при различных деформационных напряжениях”, ЖТФ, 90:1 (2020), 128–133   ; V. M. Mukhortov, D. V. Stryukov, S. V. Birukov, Yu. I. Golovko, “Polarization switching along a substrate in thin Bi$_{4}$Ti$_{3}$O$_{12}$ films under different deformation stresses”, Tech. Phys., 65:1 (2020), 118–123 |
6
|
|
2019 |
| 2. |
А. С. Анохин, С. В. Бирюков, Ю. И. Головко, В. М. Мухортов, “Структурные и электрические характеристики двухслойных тонких пленок Bi$_{4}$Ti$_{3}$O$_{12}$/(Ba,Sr)TiO$_{3}$, осажденных на кремниевую подложку методом высокочастотного распыления при повышенных давлениях кислорода”, Физика твердого тела, 61:2 (2019), 278–283 ; A. S. Anokhin, S. V. Birukov, Yu. I. Golovko, V. M. Mukhortov, “Structural and electric characteristics of two-layer Bi$_{4}$Ti$_{3}$O$_{12}$/(Ba,Sr)TiO$_{3}$ thin films deposited on a silicon substrate by radio-frequency sputtering at increased oxygen pressures”, Phys. Solid State, 61:2 (2019), 139–144 |
5
|
|
2018 |
| 3. |
В. М. Мухортов, Ю. И. Головко, А. В. Павленко, Д. В. Стрюков, С. В. Бирюков, А. П. Ковтун, С. П. Зинченко, “Особенности эффекта поля в структуре металл–сегнетоэлектрик–полупроводник при использовании многослойных сегнетоэлектрических пленок с различными структурными типами”, Физика твердого тела, 60:9 (2018), 1741–1747 ; V. M. Mukhortov, Yu. I. Golovko, A. V. Pavlenko, D. V. Stryukov, S. V. Birukov, A. P. Kovtun, S. P. Zinchenko, “The field effect in a metal–ferroelectric–semiconductor system of multilayer ferroelectric films with various structure types”, Phys. Solid State, 60:9 (2018), 1786–1792 |
8
|
| 4. |
Д. В. Стрюков, В. М. Мухортов, Ю. И. Головко, С. В. Бирюков, “Особенности сегнетоэлектрического состояния в двухслойных гетероструктурах на основе титаната бария-стронция”, Физика твердого тела, 60:1 (2018), 113–117 ; D. V. Stryukov, V. M. Mukhortov, Yu. I. Golovko, S. V. Birukov, “Specific features of the ferroelectric state in two-layer barium strontium titanate-based heterostructures”, Phys. Solid State, 60:1 (2018), 115–119 |
9
|
| 5. |
А. В. Павленко, Д. В. Стрюков, В. М. Мухортов, С. В. Бирюков, “Cтруктура и релаксация поляризованного состояния в тонких пленках Ba$_{0.5}$Sr$_{0.5}$Nb$_{2}$O$_{6}$ на подложке (001) Si”, ЖТФ, 88:3 (2018), 418–421 ; A. V. Pavlenko, D. V. Stryukov, V. M. Mukhortov, S. V. Birukov, “Structure and polarization relaxation of Ba$_{0.5}$Sr$_{0.5}$Nb$_{2}$O$_{6}$Si films”, Tech. Phys., 63:3 (2018), 407–410 |
5
|
|
2016 |
| 6. |
Ю. В. Есипов, В. М. Мухортов, С. В. Бирюков, А. А. Маматов, С. И. Масычев, “Модифицированные соотношения для расчета диэлектрической проницаемости наноразмерных пленок титаната бария–стронция”, ЖТФ, 86:8 (2016), 102–106 ; Yu. V. Esipov, V. M. Mukhortov, S. V. Birukov, A. A. Mamatov, S. I. Masychev, “Modified relations for calculating the dielectric constant of barium–strontium titanate nanofilms”, Tech. Phys., 61:8 (2016), 1220–1224 |
2
|
| 7. |
В. М. Мухортов, Ю. И. Головко, С. В. Бирюков, А. С. Анохин, Ю. И. Юзюк, “Влияние механизмов роста на деформацию элементарной ячейки и переключение поляризации в гетероструктурах титаната бария–стронция на оксиде магния”, ЖТФ, 86:1 (2016), 93–98 ; V. M. Mukhortov, Yu. I. Golovko, S. V. Birukov, A. S. Anokhin, Yu. I. Yuzyuk, “Effect of growth mechanisms on the deformation of a unit cell and polarization reversal in barium–strontium titanate heterostructures on magnesium oxide”, Tech. Phys., 61:1 (2016), 91–96 |
11
|
|
1984 |
| 8. |
С. В. Бирюков, “Углы нулевого рассеяния упругих поверхностных волн вертикальными
контактами”, ЖТФ, 54:9 (1984), 1818–1820  |
|
Обратная связь: