Особенности эффекта поля в структуре металл–сегнетоэлектрик–полупроводник при использовании многослойных сегнетоэлектрических пленок с различными структурными типами

Показана возможность осаждения на легированный кремний пленочных сегнетоэлектрических структур Sr$_{0.5}$Ba$_{0.5}$Nb$_{2}$O$_{6}$+Ba$_{0.2}$Sr$_{0.8}$TiO$_{3}$ и Ba$_{0.8}$Sr$_{0.2}$TiO$_{3}$+Ba$_{0.4}$Sr$_{0.6}$TiO$_{3}$ с низкой плотностью интерфейсных дефектов. Изучение пьезоотклика квазистатическим методом (площадь электрода 0.07 mm$^{2}$) показало, что в гетероструктурах имеет место изначальное поляризованное состояние сегнетоэлектрика с направлением спонтанной поляризации по нормали к подложке независимо от типа проводимости Si. Установлено, что это поляризованное состояние связано с двумерными напряжениями в сегнетоэлектрике, которыми можно управлять с помощью предварительно созданного на подложке подслоя Ba$_{x}$Sr$_{1-x}$TiO$_{3}$ и толщиной этого подслоя. Переключение поляризации в гетероструктурах Sr$_{0.5}$Ba$_{0.5}$Nb$_{2}$O$_{6}$/Si и Ba$_{0.8}$Sr$_{0.2}$TiO$_{3}$/Si при внешнем полевом воздействии происходит только при использовании предварительно нанесенного на кремний подслоя титаната бария–стронция. Уменьшение на 15% величины переключаемой поляризации в структурах Ba$_{0.8}$Sr$_{0.2}$TiO$_{3}$/Ba$_{0.4}$Sr$_{0.6}$TiO$_{3}$/Si происходит в течение 500 h.