|
Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)
Физика низкоразмерных структур
Переключение поляризации вдоль подложки в тонких пленках Bi$_{4}$Ti$_{3}$O$_{12}$ при различных деформационных напряжениях
В. М. Мухортов, Д. В. Стрюков, С. В. Бирюков, Ю. И. Головко Южный научный центр РАН, г. Ростов-на-Дону
Аннотация:
Проведено исследование монокристаллических пленок Bi$_{4}$Ti$_{3}$O$_{12}$ с предварительно осажденным 4 nm подслоем Ba$_{0.4}$Sr$_{0.6}$TiO$_{3}$ на подложках (001) MgO. В полученных гетероструктурах наблюдался поворот элементарных ячеек пленки Bi$_{4}$Ti$_{3}$O$_{12}$ на угол 45$^\circ$ относительно ячеек подложки MgO в плоскости сопряжения. В пленках присутствуют деформации элементарной ячейки, зависящие от толщины Bi$_{4}$Ti$_{3}$O$_{12}$, и при толщине $\sim$40 nm происходит смена знака деформации. Переключаемая спонтанная поляризация Bi$_{4}$Ti$_{3}$O$_{12}$ в плоскости сопряжения при 180$^\circ$ доменной структуры возникает при толщине, равной 10 nm, и увеличивается с толщиной до 54 $\mu$C/cm$^{2}$. Изучение диэлектрических характеристик пленок подтвердило существование анизотропии свойств в плоскости сопряжения и влияние деформации элементарной ячейки на свойства гетероструктур.
Ключевые слова:
сегнетоэлектрик, тонкая пленка, диэлектрические свойства.
Поступила в редакцию: 23.05.2019 Исправленный вариант: 23.05.2019 Принята в печать: 17.06.2019
Образец цитирования:
В. М. Мухортов, Д. В. Стрюков, С. В. Бирюков, Ю. И. Головко, “Переключение поляризации вдоль подложки в тонких пленках Bi$_{4}$Ti$_{3}$O$_{12}$ при различных деформационных напряжениях”, ЖТФ, 90:1 (2020), 128–133; Tech. Phys., 65:1 (2020), 118–123
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jtf5418 https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v90/i1/p128
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 60 | PDF полного текста: | 16 |
|