Переключение поляризации вдоль подложки в тонких пленках Bi$_{4}$Ti$_{3}$O$_{12}$ при различных деформационных напряжениях

Проведено исследование монокристаллических пленок Bi$_{4}$Ti$_{3}$O$_{12}$ с предварительно осажденным 4 nm подслоем Ba$_{0.4}$Sr$_{0.6}$TiO$_{3}$ на подложках (001) MgO. В полученных гетероструктурах наблюдался поворот элементарных ячеек пленки Bi$_{4}$Ti$_{3}$O$_{12}$ на угол 45$^\circ$ относительно ячеек подложки MgO в плоскости сопряжения. В пленках присутствуют деформации элементарной ячейки, зависящие от толщины Bi$_{4}$Ti$_{3}$O$_{12}$, и при толщине $\sim$40 nm происходит смена знака деформации. Переключаемая спонтанная поляризация Bi$_{4}$Ti$_{3}$O$_{12}$ в плоскости сопряжения при 180$^\circ$ доменной структуры возникает при толщине, равной 10 nm, и увеличивается с толщиной до 54 $\mu$C/cm$^{2}$. Изучение диэлектрических характеристик пленок подтвердило существование анизотропии свойств в плоскости сопряжения и влияние деформации элементарной ячейки на свойства гетероструктур.