|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2018 |
| 1. |
С. П. Вихров, Н. В. Вишняков, В. В. Гудзев, А. В. Ермачихин, Д. В. Жилина, В. Г. Литвинов, А. Д. Маслов, В. Г. Мишустин, Е. И. Теруков, A. С. Титов, “Исследование глубоких энергетических уровней в солнечном элементе типа HIT”, Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018), 787–791   ; S. P. Vikhrov, N. V. Vishnyakov, V. V. Gudzev, A. V. Ermachikhin, D. V. Zhilina, V. G. Litvinov, A. D. Maslov, V. G. Mishustin, E. I. Terukov, A. S. Titov, “Study of deep levels in a HIT solar cell”, Semiconductors, 52:7 (2018), 926–930 |
3
|
|
2016 |
| 2. |
А. В. Алпатов, С. П. Вихров, А. Г. Казанский, В. Л. Лясковский, Н. Б. Рыбин, Н. В. Рыбина, П. А. Форш, “Исследование корреляционных свойств структуры поверхности пленок $nc$-Si/$a$-Si : H с различной долей кристаллической фазы”, Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016), 600–606 ; A. V. Alpatov, S. P. Vikhrov, A. G. Kazanskii, V. L. Lyaskovskii, N. B. Rybin, N. V. Rybina, P. A. Forsh, “Study of the correlation properties of the surface structure of $nc$-Si/$a$-Si : H films with different fractions of the crystalline phase”, Semiconductors, 50:5 (2016), 590–595 |
7
|
| 3. |
А. В. Алпатов, С. П. Вихров, Н. В. Вишняков, С. М. Мурсалов, Н. Б. Рыбин, Н. В. Рыбина, “Комплексный метод исследования корреляционных параметров самоорганизованных структур”, Физика и техника полупроводников, 50:1 (2016), 23–29 ; A. V. Alpatov, S. P. Vikhrov, N. V. Vishnyakov, S. M. Mursalov, N. B. Rybin, N. V. Rybina, “On a combined approach to studying the correlation parameters of self-organizing structures”, Semiconductors, 50:1 (2016), 22–28 |
10
|
|
1985 |
| 4. |
С. А. Дембовский, С. П. Вихров, В. Н. Ампилогов, Е. А. Чечеткина, “Влияние слабого магнитного поля на электрическое переключение в халькогенидных стеклообразных полупроводниках”, Письма в ЖТФ, 11:20 (1985), 1267–1271  |
|
1984 |
| 5. |
С. П. Вихров, Г. Юшка, В. Н. Ампилогов, “К природе инверсии типа проводимости в ХСП систем
Ge$-$Se$-$Bi и Ge$-$S$-$Bi”, Физика и техника полупроводников, 18:2 (1984), 348–350 |
|
Обратная связь: