Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 1, страницы 23–29 (Mi phts6557)  

Эта публикация цитируется в 10 научных статьях (всего в 10 статьях)

Неэлектронные свойства полупроводников (атомная структура, диффузия)

Комплексный метод исследования корреляционных параметров самоорганизованных структур

А. В. Алпатов, С. П. Вихров, Н. В. Вишняков, С. М. Мурсалов, Н. Б. Рыбин, Н. В. Рыбина

Рязанский государственный радиотехнический университет
Аннотация: Исследованы корреляционные параметры самоорганизованных структур с использованием комплексного подхода – метода двухмерного флуктуационного анализа с исключенным трендом совместно с методом средней взаимной информации. В качестве самоорганизованных структур использованы модельные поверхности различной степени упорядоченности (упорядоченные, неупорядоченные, смешанные), а также пленки аморфного гидрогенизированного кремния и аморфного тетраэдрического углерода. На тестовых структурах было продемонстрировано, что корреляционные векторы, определенные по перегибам на зависимости флуктуационной функции от масштаба методом двухмерного флуктуационного анализа с исключенным трендом, достаточно точно совпадают с заданными периодами гармонических составляющих поверхности. Метод средней взаимной информации целесообразнее использовать для неупорядоченных структур. Выявлено, что физический смысл максимальной взаимной информации заключается в том, что она характеризует информационную емкость системы. Применение комплексного метода позволяет наиболее всесторонне исследовать корреляционные параметры смешанных структур.
Поступила в редакцию: 06.04.2015
Принята в печать: 06.04.2015
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 1, Pages 22–28
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616010048
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. В. Алпатов, С. П. Вихров, Н. В. Вишняков, С. М. Мурсалов, Н. Б. Рыбин, Н. В. Рыбина, “Комплексный метод исследования корреляционных параметров самоорганизованных структур”, Физика и техника полупроводников, 50:1 (2016), 23–29; Semiconductors, 50:1 (2016), 22–28
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AlpVikVis16}
\by А.~В.~Алпатов, С.~П.~Вихров, Н.~В.~Вишняков, С.~М.~Мурсалов, Н.~Б.~Рыбин, Н.~В.~Рыбина
\paper Комплексный метод исследования корреляционных параметров самоорганизованных структур
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 1
\pages 23--29
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6557}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=25668001}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 1
\pages 22--28
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782616010048}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6557
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i1/p23
  • Эта публикация цитируется в следующих 10 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:31
    PDF полного текста:13
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024