|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
| 1. |
О. Я. Белобровая, В. В. Галушка, В. С. Исмаилова, В. П. Полянская, В. И. Сидоров, Д. В. Терин, А. А. Машков, “Влияние малых доз гамма-излучения на оптические свойства наноструктурированного кремния, полученного методом металл-стимулированного химического травления in situ”, Изв. Сарат. ун-та. Нов. cер. Сер. Физика, 20:4 (2020), 288–298  |
|
2019 |
| 2. |
O. Ya. Belobrovaya, V. V. Galushka, A. L. Karagaychev, A. E. Zharkova, V. P. Polyanskaya, V. I. Sidorov, D. V. Terin, A. A. Mantsurov, “Nanostructured porous silicon layers formation at low doses of $\gamma$-radiation”, Изв. Сарат. ун-та. Нов. cер. Сер. Физика, 19:4 (2019), 312–316 |
1
|
|
2018 |
| 3. |
Д. И. Биленко, О. Я. Белобровая, Д. В. Терин, В. В. Галушка, И. В. Галушка, Э. А. Жаркова, В. П. Полянская, В. И. Сидоров, И. Т. Ягудин, “Влияние малых доз гамма-излучения на оптические свойства пористого кремния”, Физика и техника полупроводников, 52:3 (2018), 349–352  ; D. I. Bilenko, O. Ya. Belobrovaya, D. V. Terin, V. V. Galushka, I. V. Galushka, A. E. Zharkova, V. P. Polyanskaya, V. I. Sidorov, I. T. Yagudin, “Effect of low $\gamma$-radiation doses on the optical properties of porous silicon”, Semiconductors, 52:3 (2018), 331–334 |
2
|
|
2014 |
| 4. |
Д. И. Биленко, О. Я. Белобровая, В. В. Галушка, Я. Д. Карсакова, Т. Е. Мельникова, И. Б. Мысенко, В. П. Полянская, Д. В. Терин, “Влияние воды и биологически активной среды на наноструктуры кремния”, Изв. Сарат. ун-та. Нов. cер. Сер. Физика, 14:2 (2014), 42–46 |
|
1986 |
| 5. |
Д. И. Биленко, О. Я. Белобровая, А. С. Игнатьев, В. Г. Мокеров, C. Е. Пылаев, И. В. Рябинин, В. Д. Ципоруха, “Определение толщины и состава эпитаксиальных слоев в ходе образования
структур
GaAs$-$Ga$_{1-x}$Al$_{x}$As”, ЖТФ, 56:6 (1986), 1198–1201  |
|
Обратная связь: