Известия Саратовского университета. Новая серия. Серия: Физика
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Изв. Сарат. ун-та. Нов. cер. Сер. Физика:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Известия Саратовского университета. Новая серия. Серия: Физика, 2019, том 19, выпуск 4, страницы 312–316
DOI: https://doi.org/10.18500/1817-3020-2019-19-4-312-316 (Mi isuph361) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Краткие сообщения

Nanostructured porous silicon layers formation at low doses of $\gamma$-radiation
[Формирование слоев наноструктурированного пористого кремния при облучении малыми дозами $\gamma$-радиации]

O. Ya. Belobrovayaa, V. V. Galushkaa, A. L. Karagaychevb, A. E. Zharkovaa, V. P. Polyanskayaa, V. I. Sidorova, D. V. Terina, A. A. Mantsurova

a Saratov State University, 83 Astrakhanskaya St., Saratov 410012, Russia
b State Health Institution “Regional Clinical Oncology Dispensary”, Saratov 410001, Russia
PDF полного текста (938 kB) Список цитирования (1)
Список литературы:
PDF
HTML
DOI: https://doi.org/10.18500/1817-3020-2019-19-4-312-316
Аннотация: Приводятся результаты экспериментального исследования формирования структур нанопористого Si (SiNР) методом металл стимулированного химического травления при облучении малыми дозами $\gamma$-радиации непосредственно в процессе получения (in situ). Показано, что радиационное излучение приводит к увеличению кристаллизации структур SiNР, полученных на предварительно облученных подложках, и может быть связано с понижением исходной дефектности подложки кремния.
Ключевые слова: пористый кремний, металлстимулированное химическое травление, наноструктуры, рентгеновская дифрактометрия, морфология, гамма радиация, доза облучения, микронапряжения, дефекты, сканирующий электронный микроскоп поры, размеры кристаллитов.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 18-07-00752
Тип публикации: Статья
УДК: 535.375.5:537.533.35:539.23:54-7
Язык публикации: английский
Образец цитирования: O. Ya. Belobrovaya, V. V. Galushka, A. L. Karagaychev, A. E. Zharkova, V. P. Polyanskaya, V. I. Sidorov, D. V. Terin, A. A. Mantsurov, “Nanostructured porous silicon layers formation at low doses of $\gamma$-radiation”, Изв. Сарат. ун-та. Нов. cер. Сер. Физика, 19:4 (2019), 312–316
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BelGalKar19}
\by O.~Ya.~Belobrovaya, V.~V.~Galushka, A.~L.~Karagaychev, A.~E.~Zharkova, V.~P.~Polyanskaya, V.~I.~Sidorov, D.~V.~Terin, A.~A.~Mantsurov
\paper Nanostructured porous silicon layers formation at low doses of $\gamma$-radiation
\jour Изв. Сарат. ун-та. Нов. cер. Сер. Физика
\yr 2019
\vol 19
\issue 4
\pages 312--316
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/isuph361}
\crossref{https://doi.org/10.18500/1817-3020-2019-19-4-312-316}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/isuph361
  • https://www.mathnet.ru/rus/isuph/v19/i4/p312
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Известия Саратовского университета. Новая серия. Серия: Физика
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:43
    PDF полного текста:12
    Список литературы:19
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024