Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 3, страницы 349–352
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.03.45620.8570 (Mi phts5896) 		 
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Влияние малых доз гамма-излучения на оптические свойства пористого кремния

Д. И. Биленко, О. Я. Белобровая, Д. В. Терин, В. В. Галушка, И. В. Галушка, Э. А. Жаркова, В. П. Полянская, В. И. Сидоров, И. Т. Ягудин

Саратовский государственный университет им. Н. Г. Чернышевского
PDF полного текста (105 kB) Список цитирования (2)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.03.45620.8570
Аннотация: Показана возможность модификации фотолюминесцентных свойств пористого кремния при облучении малыми дозами $\gamma$-квантов радиоизотопного источника $^{226}$Ra и тормозного излучения. Положение максимальной длины волны фотолюминесценции (PL) имеет тенденцию сдвига в коротковолновую область спектра, эффективность излучения (PL) растет как при облучении подложки, так и образующегося слоя.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации
Российский фонд фундаментальных исследований 18-07-00752
Работа выполнена при частичной поддержке Министерства образования и науки РФ (базовая часть государственного задания) и финансовой поддержке РФФИ в рамках научного проекта № 18-07-00752.
Поступила в редакцию: 01.03.2017
Принята в печать: 29.06.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 3, Pages 331–334
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618030077
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Д. И. Биленко, О. Я. Белобровая, Д. В. Терин, В. В. Галушка, И. В. Галушка, Э. А. Жаркова, В. П. Полянская, В. И. Сидоров, И. Т. Ягудин, “Влияние малых доз гамма-излучения на оптические свойства пористого кремния”, Физика и техника полупроводников, 52:3 (2018), 349–352; Semiconductors, 52:3 (2018), 331–334
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BilBelTer18}
\by Д.~И.~Биленко, О.~Я.~Белобровая, Д.~В.~Терин, В.~В.~Галушка, И.~В.~Галушка, Э.~А.~Жаркова, В.~П.~Полянская, В.~И.~Сидоров, И.~Т.~Ягудин
\paper Влияние малых доз гамма-излучения на оптические свойства пористого кремния
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 3
\pages 349--352
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5896}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.03.45620.8570}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=32739687}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 3
\pages 331--334
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618030077}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5896
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i3/p349
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025