|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
| 1. |
А. П. Барабан, Е. А. Денисов, В. А. Дмитриев, А. В. Дрозд, В. Е. Дрозд, А. А. Селиванов, Р. П. Сейсян, “Особенности слоев SiO$_{2}$, синтезированных на кремнии методом молекулярного наслаивания”, Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020), 427–431   ; A. P. Baraban, E. A. Denisov, V. A. Dmitriev, A. V. Drozd, V. E. Drozd, A. A. Selivanov, R. Seisyan, “Features of SiO$_2$ layers synthesized on silicon by molecular layer deposition”, Semiconductors, 54:4 (2020), 506–510 |
3
|
| 2. |
Р. П. Сейсян, С. А. Ваганов, “Температурно-зависимое интегральное поглощение экситонных поляритонов в полупроводниковых кристаллах”, Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020), 327–330 ; R. Seisyan, S. A. Vaganov, “Temperature-dependent total absorption of exciton polaritons in bulk semiconductors”, Semiconductors, 54:4 (2020), 399–402 |
1
|
|
2017 |
| 3. |
Р. П. Сейсян, А. В. Кавокин, Kh. Moumanis, М. Э. Сасин, “Эффект кулоновской ямы в квантовых ямах (In, Ga)As/GaAs”, Физика твердого тела, 59:6 (2017), 1133–1149 ; R. Seisyan, A. V. Kavokin, Kh. Moumanis, M. È. Sasin, “Effect of a Coulomb well in (In, Ga)As/GaAs quantum wells”, Phys. Solid State, 59:6 (2017), 1154–1170 |
3
|
| 4. |
Д. А. Борисевичус, В. В. Забродский, С. Г. Калмыков, М. Э. Сасин, Р. П. Сейсян, “Поглощение лазерного излучения в создаваемой им плазме при использовании газовых микроструй в качестве мишеней”, Письма в ЖТФ, 43:1 (2017), 53–60 ; D. A. Borisevichus, V. V. Zabrodskii, S. G. Kalmykov, M. È. Sasin, R. Seisyan, “Absorption of the laser radiation by the laser plasma with gas microjet targets”, Tech. Phys. Lett., 43:1 (2017), 67–70 |
2
|
|
2016 |
| 5. |
Р. П. Сейсян, “Диамагнитные экситоны в полупроводниках (Обзор)”, Физика твердого тела, 58:5 (2016), 833–880 ; R. Seisyan, “Diamagnetic excitons in semiconductors (Review)”, Phys. Solid State, 58:5 (2016), 859–907 |
9
|
|
1992 |
| 6. |
Р. П. Сейсян, Е. В. Скородумова, М. А. Якобсон, Г. О. Мюллер, “Эффект Штарка в области основного состояния экситона серии «$A$» в кристаллах CdS”, Физика твердого тела, 34:11 (1992), 3580–3587  |
| 7. |
Г. Н. Алиев, Н. П. Гавалешко, О. С. Кощуг, В. И. Плешко, Р. П. Сейсян, К. Д. Сушкевич, “Структура края поглощения кубических халькогенидов кадмия и цинка”, Физика твердого тела, 34:8 (1992), 2400–2406 |
| 8. |
Е. Г. Бараш, А. Ю. Кабин, В. М. Любин, Р. П. Сейсян, “Воздействие импульсного вакуумного ультрафиолета на пленки
халькогенидных стеклообразных полупроводников AsSe и As$_{2}$S$_{3}$”, ЖТФ, 62:3 (1992), 106–113 |
|
1991 |
| 9. |
С. И. Кохановский, Ю. М. Макушенко, Р. П. Сейсян, Ал. А. Эфрос, Т. В. Язева, М. А. Абдуллаев, “Квазиландауское осциллирующее магнитопоглощение ридберговских состояний экситона InP в «промежуточном» магнитном поле”, Физика твердого тела, 33:6 (1991), 1719–1734 |
| 10. |
С. И. Кохановский, Ю. М. Макушенко, Р. П. Сейсян, Ал. Л. Эфрос, Т. В. Язева, М. А. Абдуллаев, “Параметры зонной структуры эпитаксиальных слоев в гетеропереходах
In$_{1-x}$Ga$_{x}$As/InP”, Физика и техника полупроводников, 25:3 (1991), 493–503 |
|
1990 |
| 11. |
С. И. Кохановский, Ю. М. Макушенко, Р. П. Сейсян, Ал. Л. Эфрос, “Ширина линий экситонного поглощения в твердых растворах In$_{1-x}$Ga$_{x}$As/InP”, Физика твердого тела, 32:4 (1990), 999–1006 |
|
1989 |
| 12. |
М. А. Абдуллаев, С. И. Кохановский, О. С. Кощуг, Р. П. Сейсян, “«Тонкая» структура края поглощения кристаллов теллурида
кадмия”, Физика и техника полупроводников, 23:7 (1989), 1160–1163 |
| 13. |
М. А. Абдуллаев, С. И. Кохановский, Ю. М. Макушенко, Р. П. Сейсян, “Край оптического поглощения «чистых»
эпитаксиальных слоев InP”, Физика и техника полупроводников, 23:7 (1989), 1156–1159 |
| 14. |
М. А. Абдуллаев, А. Т. Гореленок, С. И. Кохановский, Ю. М. Макушенко, Д. В. Пуляевский, Р. П. Сейсян, К. Э. Штенгель, “Край оптического поглощения и деформации эпитаксиальных слоев
In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As”, Физика и техника полупроводников, 23:2 (1989), 201–206 |
| 15. |
В. Д. Каган, С. Л. Карпенко, Р. Катилюс, Г. О. Мюллер, Р. П. Сейсян, М. А. Якобсон, “Гашение экситонной люминесценции в результате ударной ионизации
и механизмы релаксации электронов в сульфиде кадмия”, Физика и техника полупроводников, 23:1 (1989), 138–145 |
| 16. |
Ж. И. Алфров, И. Л. Алейнер, В. М. Андреев, B. C. Калиновский, Г. Л. Сандлер, Р. П. Сейсян, А. А. Торопов, Т. В. Шубина, В. П. Хвостиков, “Полупроводниковый лазер с встроенным экситонным штарковским
модулятором добротности на основе AlGaAs ДГС с одиночной квантовой ямой
GaAs”, Письма в ЖТФ, 15:7 (1989), 20–24 |
|
1988 |
| 17. |
Р. П. Сейсян, Ш. У. Юлдашев, “Линейная экситонная структура низкотемпературной краевой люминесценции кристаллов сурьмянистого индия”, Физика твердого тела, 30:1 (1988), 12–31 |
| 18. |
В. Г. Голубев, В. И. Иванов-Омский, А. В. Осутин, Р. П. Сейсян, Ал. Л. Эфрос, Т. В. Язева, “Магнитоспектроскопия резонансных примесных состояний
в полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 22:8 (1988), 1416–1421 |
| 19. |
Р. П. Сейсян, М. А. Якобсон, “Зеленая люминесценция CdS в поле барьера Шоттки”, Физика и техника полупроводников, 22:7 (1988), 1304–1306 |
| 20. |
Р. П. Сейсян, А. А. Торопов, В. Р. Ларионов, В. П. Хвостиков, Т. В. Шубина, И. Л. Алейнер, “Электропоглощение при волноводном
прохождении света через двойную
гетероструктуру AlGaAs
с квантоворазмерным слоем”, Письма в ЖТФ, 14:17 (1988), 1548–1552 |
|
1987 |
| 21. |
Б. Л. Гельмонт, Г. В. Михайлов, А. Г. Панфилов, Б. С. Разбирин, Р. П. Сейсян, Ал. Л. Эфрос, “Диамагнитные экситоны в гексагональных кристаллах A$_{2}$B$_{6}$”, Физика твердого тела, 29:6 (1987), 1730–1739 |
| 22. |
С. Л. Карпенко, А. М. Коротаев, Р. П. Сейсян, М. А. Якобсон, Г. О. Мюллер, “Гашение низкотемпературной экситонной люминесценции в «чистых» кристаллах сульфида кадмия с барьером Шоттки”, Физика и техника полупроводников, 21:9 (1987), 1695–1701 |
|
1986 |
| 23. |
Р. П. Сейсян, Ш. У. Юлдашев, “Низкотемпературная фотолюминесценция гетероэпитаксиальных слоев теллурида свинца”, Физика твердого тела, 28:5 (1986), 1348–1352 |
| 24. |
К. И. Гейман, С. И. Кохановский, Р. П. Сейсян, В. А. Юкиш, Ал. Л. Эфрос, “Экситонные состояния в межзонном поглощении теллурида свинца при наличии магнитного поля”, Физика твердого тела, 28:3 (1986), 855–861 |
| 25. |
Р. П. Сейсян, А. Л. Эфрос, Т. В. Язева, “Образование оптической щели в спектре уровней Ландау тяжелых дырок германия”, Письма в ЖТФ, 12:6 (1986), 369–373 |
|
1985 |
| 26. |
Н. Т. Баграев, В. А. Машков, Р. П. Сейсян, В. Л. Суханов, Н. М. Шмидт, “Формирование областей неоднородной компенсации в процессе получения
планарных кремниевых $p{-}n$ переходов”, ЖТФ, 55:10 (1985), 2064–2066 |
|
1983 |
| 27. |
В. И. Иванов-Омский, С. И. Кохановский, Р. П. Сейсян, В. А. Смирнов, В. А. Юкиш, Ш. У. Юлдашев, “Спектры поглощения и фотолюминесценции Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te”, Физика твердого тела, 25:4 (1983), 1214–1216 |
| 28. |
К. А. Гацоев, А. Т. Гореленок, С. Л. Карпенко, В. В. Мамутин, Р. П. Сейсян, “Эффекты легирования редкоземельными элементами в низкотемпературной
краевой люминесценции InP”, Физика и техника полупроводников, 17:12 (1983), 2148–2151 |
| 29. |
Л. М. Канская, С. И. Кохановский, Р. П. Сейсян, Ал. Л. Эфрос, В. А. Юкиш, “Параметры энергетических зон кристаллов арсенида индия”, Физика и техника полупроводников, 17:4 (1983), 718–720 |
| 30. |
В. И. Иванов-Омский, С. И. Кохановский, Р. П. Сейсян, В. А. Смирнов, Ш. У. Юлдашев, “Обнаружение экситонной люминесценции в кристаллах антимонида индия”, Физика и техника полупроводников, 17:3 (1983), 532–534 |
| 31. |
С. И. Кохановский, Ю. М. Макушенко, Р. П. Сейсян, “Эффект фотопоглощения в спектрах диамагнитных экситонов
кристаллов InSb”, Физика и техника полупроводников, 17:3 (1983), 501–503 |
|
1969 |
| 32. |
Б. П. Захарченя, Р. П. Сейсян, “Диамагнитные экситоны в полупроводниках”, УФН, 97:2 (1969), 193–210 ; B. P. Zakharchenya, R. Seisyan, “Diamagnetic excitons in semiconductors”, Phys. Usp., 12:1 (1969), 70–79 |
27
|
|
Обратная связь: