Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 4, страницы 327–330
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.04.49135.9293 (Mi phts5238) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Электронные свойства полупроводников

Температурно-зависимое интегральное поглощение экситонных поляритонов в полупроводниковых кристаллах

Р. П. Сейсян, С. А. Ваганов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (1172 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.04.49135.9293
Аннотация: Данная работа выделяет экспериментальное использование температурного фактора при изучении интегрального поглощения как метода экспериментального подтверждения и исследования механизма экситон-поляритонного светопереноса вблизи края фундаментального поглощения в полупроводниковых кристаллах с пространственной дисперсией. Обобщены результаты экспериментальных исследований температурно-зависимого интегрального экситонного поглощения, приведены экспериментально определенные значения критической температуры, выше которой интегральное поглощение становится постоянным, соответствующие ему значения критического параметра затухания и продольно-поперечного расщепления для исследованных авторами полупроводников CdTe, GaAs, InP, ZnSe, ZnTe.
Ключевые слова: экситонное поглощение, интегральное поглощение, температурно-зависимое поглощение, экситонный поляритон, полупроводниковые кристаллы.
Поступила в редакцию: 22.10.2019
Исправленный вариант: 28.11.2019
Принята в печать: 02.12.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 4, Pages 399–402
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620040156
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Р. П. Сейсян, С. А. Ваганов, “Температурно-зависимое интегральное поглощение экситонных поляритонов в полупроводниковых кристаллах”, Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020), 327–330; Semiconductors, 54:4 (2020), 399–402
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SeiVag20}
\by Р.~П.~Сейсян, С.~А.~Ваганов
\paper Температурно-зависимое интегральное поглощение экситонных поляритонов в полупроводниковых кристаллах
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 4
\pages 327--330
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5238}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2020.04.49135.9293}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=42776691}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 4
\pages 399--402
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620040156}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5238
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i4/p327
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:48
    PDF полного текста:18
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024