Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 4, страницы 427–431
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.04.49153.9312 (Mi phts5254) 		 
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Особенности слоев SiO$_{2}$, синтезированных на кремнии методом молекулярного наслаивания

А. П. Барабанa, Е. А. Денисовa, В. А. Дмитриевa, А. В. Дроздa, В. Е. Дроздa, А. А. Селивановa, Р. П. Сейсянb

a Санкт-Петербургский государственный университет
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (217 kB) Список цитирования (3)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.04.49153.9312
Аннотация: Проведено сравнение характеристик слоев оксида кремния, полученных различными технологическими способами. Показано, что каталитический способ получения слоев окиси кремния методом молекулярного наслаивания имеет ряд преимуществ. Главными из них являются низкая температура роста, качественная граница раздела с кремниевой подложкой и высокая скорость роста пленок. Исследования методом катодолюминесценции позволили оценить структурное качество слоев оксида кремния, полученных методом молекулярного наслаивания, и подтвердили представления о его возможностях для получения качественных пленок окиси кремния для широкого практического применения.
Ключевые слова: молекулярное наслаивание, низкотемпературный синтез, оксид кремния, каталитический синтез, катодолюминесценция, спектральное распределение.
Поступила в редакцию: 12.11.2019
Исправленный вариант: 18.11.2019
Принята в печать: 18.11.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 4, Pages 506–510
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378262004003X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. П. Барабан, Е. А. Денисов, В. А. Дмитриев, А. В. Дрозд, В. Е. Дрозд, А. А. Селиванов, Р. П. Сейсян, “Особенности слоев SiO$_{2}$, синтезированных на кремнии методом молекулярного наслаивания”, Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020), 427–431; Semiconductors, 54:4 (2020), 506–510
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BarDenDmi20}
\by А.~П.~Барабан, Е.~А.~Денисов, В.~А.~Дмитриев, А.~В.~Дрозд, В.~Е.~Дрозд, А.~А.~Селиванов, Р.~П.~Сейсян
\paper Особенности слоев SiO$_{2}$, синтезированных на кремнии методом молекулярного наслаивания
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 4
\pages 427--431
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5254}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2020.04.49153.9312}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=42776708}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 4
\pages 506--510
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378262004003X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5254
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i4/p427
    • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024