|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
| 1. |
А. Н. Нечай, С. А. Гарахин, А. Я. Лопатин, В. Н. Полковников, Д. Г. Реунов, Н. Н. Салащенко, М. Н. Торопов, Н. И. Чхало, Н. Н. Цыбин, “Эффективность генерации излучения в полосе 8–14 нм ионами криптона при импульсном лазерном возбуждении”, Квантовая электроника, 50:4 (2020), 408–413   [A. N. Nechai, S. A. Garakhin, A. Ya. Lopatin, V. N. Polkovnikov, D. G. Reunov, N. N. Salashchenko, M. N. Toropov, N. I. Chkhalo, N. N. Tsybin, “Lasing efficiency of krypton ions in the (8–14)-nm band upon pulsed laser excitation”, Quantum Electron., 50:4 (2020), 408–413   ] |
7
|
|
2019 |
| 2. |
В. Я. Алешкин, Н. В. Байдусь, А. А. Дубинов, К. Е. Кудрявцев, С. М. Некоркин, А. В. Круглов, Д. Г. Реунов, “Субмонослойные квантовые точки InGaAs/GaAs, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019), 1159–1163 ; V. Ya. Aleshkin, N. V. Baidus, A. A. Dubinov, K. E. Kudryavtsev, S. M. Nekorkin, A. V. Kruglov, D. G. Reunov, “Submonolayer InGaAs/GaAs quantum dots grown by MOCVD”, Semiconductors, 53:8 (2019), 1138–1142 |
6
|
| 3. |
Н. В. Байдусь, В. А. Кукушкин, С. М. Некоркин, А. В. Круглов, Д. Г. Реунов, “Выращивание методом МОС-гидридной эпитаксии субмонослойных квантовых точек InGaAs/GaAs для возбуждения поверхностных плазмон-поляритонов”, Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019), 345–350 ; N. V. Baidus, V. A. Kukushkin, S. M. Nekorkin, A. V. Kruglov, D. G. Reunov, “MOS-hydride epitaxy growth of InGaAs/GaAs submonolayer quantum dots for the excitation of surface plasmon–polaritons”, Semiconductors, 53:3 (2019), 326–331 |
|
2018 |
| 4. |
Н. В. Байдусь, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, З. Ф. Красильник, К. Е. Кудрявцев, С. М. Некоркин, А. В. Новиков, А. В. Рыков, Д. Г. Реунов, М. В. Шалеев, П. А. Юнин, Д. В. Юрасов, “Применение компенсирующих слоев GaAsP для роста лазерных гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/GaAs, излучающих на длинах волн больше 1100 нм, на искусственных подложках Ge/Si”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1443–1446 ; N. V. Baidus, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, Z. F. Krasil'nik, K. E. Kudryavtsev, S. M. Nekorkin, A. V. Novikov, A. V. Rykov, D. G. Reunov, M. V. Shaleev, P. A. Yunin, D. V. Yurasov, “On the application of strain-compensating GaAsP layers for the growth of InGaAs/GaAs quantum-well laser heterostructures emitting at wavelengths above 1100 nm on artificial Ge/Si substrates”, Semiconductors, 52:12 (2018), 1547–1550 |
3
|
|
Обратная связь: