Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Вейс Александр Николаевич

В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 22
Научных статей: 22

Статистика просмотров:
Эта страница:55
Страницы публикаций:926
Полные тексты:396
профессор
доктор физико-математических наук (1990)
Сайт: https://www.semicond.ru/sotrudniki/vejs-aleksandr-nikolaevich

Основные темы научной работы

Оптические свойства полупроводников


https://www.mathnet.ru/rus/person150106
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt
https://elibrary.ru/author_items.asp?authorid=27846
https://www.scopus.com/authid/detail.url?authorId=7101829544

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2017
1. А. Н. Вейс, Л. Н. Лукьянова, В. А. Кутасов, “Структура зоны проводимости теллурида висмута по данным оптического поглощения”, Физика и техника полупроводников, 51:7 (2017),  873–876  mathnet  elib; A. N. Weis, L. N. Luk'yanova, V. A. Kutacov, “On the conduction-band structure of bismuth telluride: optical absorption data”, Semiconductors, 51:7 (2017), 836–839 4
1991
2. А. Н. Вейс, “Влияние обменного взаимодействия электронов на параметры зонной структуры и примесных состояний в селениде свинца”, Физика и техника полупроводников, 25:11 (1991),  1934–1940  mathnet
1990
3. Н. С. Лидоренко, А. Н. Вейс, З. М. Дашевский, М. П. Руленко, “Исследование эффектов, возникающих в $\mathrm{PbTe}$ при ионной имплантации большими дозами”, Докл. АН СССР, 315:3 (1990),  600–603  mathnet
4. Г. Т. Алексеева, А. Н. Вейс, Е. А. Гуриева, Т. Б. Жукова, Л. В. Прокофьева, “Примесные состояния индия в PbS”, Физика и техника полупроводников, 24:12 (1990),  2155–2159  mathnet
5. А. Н. Вейс, З. М. Дашевский, М. П. Руленко, “Исследование коэффициента поглощения в PbTe, имплантированном цинком”, Физика и техника полупроводников, 24:1 (1990),  126–130  mathnet
1989
6. А. Н. Вейс, Л. В. Прокофьева, “Примесь индия в селениде свинца — центр с отрицательной корреляционной энергией”, Физика и техника полупроводников, 23:7 (1989),  1230–1234  mathnet
7. А. Н. Вейс, Р. Ю. Крупицкая, “Примесные состояния таллия в сульфиде свинца по данным ИК поглощения”, Физика и техника полупроводников, 23:1 (1989),  185–187  mathnet
1988
8. А. Н. Вейс, Р. Ю. Крупицкая, А. В. Лумер, “Резонансные состояния, связанные с вакансиями халькогена, в электронном сульфиде свинца”, Физика и техника полупроводников, 22:8 (1988),  1514–1516  mathnet
9. А. Н. Вейс, В. И. Кайданов, Р. Ю. Крупицкая, “Резонансные уровни в сильно компенсированном $p$-PbTe по данным ИК поглощения”, Физика и техника полупроводников, 22:2 (1988),  349–352  mathnet
10. А. Н. Вейс, А. В. Гриневич, В. И. Кайданов, Р. Б. Мельник, С. А. Немов, “Электрофизические и оптические свойства $p\text{-PbTe}\langle\text{Ag}\rangle$”, Физика и техника полупроводников, 22:1 (1988),  171–173  mathnet
1987
11. Н. С. Беспалова, А. Н. Вейс, Л. В. Прокофьева, Х. Р. Майлина, “Квазилокальные уровни в PbSe$\langle$In$\rangle$”, Физика и техника полупроводников, 21:11 (1987),  2091–2094  mathnet
12. Н. С. Беспалова, А. Н. Вейс, З. М. Дашевский, “Исследование коэффициента поглощения в ионно-имплантированном теллуриде свинца”, Физика и техника полупроводников, 21:5 (1987),  946–949  mathnet
13. А. Н. Вейс, Л. В. Прокофьева, “Энергетические уровни, связанные с собственными дефектами в электронном сульфиде свинца”, Физика и техника полупроводников, 21:4 (1987),  743–746  mathnet
14. А. Н. Вейс, “Температурные зависимости положения квазилокальных уровней в PbTe, легированном примесями III группы”, Физика и техника полупроводников, 21:2 (1987),  263–266  mathnet
1986
15. А. Н. Вейс, “Энергетический спектр вакансий халькогена в электронном селениде свинца по данным оптического поглощения”, Докл. АН СССР, 289:6 (1986),  1355–1360  mathnet
16. А. Н. Вейс, Л. В. Прокофьева, “Исследование резонансных состояний, связанных с собственными дефектами в $p$-PbSe”, Физика и техника полупроводников, 20:1 (1986),  160–161  mathnet
1985
17. А. Н. Вейс, Е. В. Глебова, Н. А. Ерасова, “Энергетические уровни, связанные с комплексами, в PbTe, легированном примесями III группы”, Физика и техника полупроводников, 19:11 (1985),  2055–2058  mathnet
18. Л. В. Прокофьева, А. Н. Вейс, “О природе разновалентных состояний примесей IV группы в халькогенидах свинца”, Физика и техника полупроводников, 19:5 (1985),  941–944  mathnet
1984
19. А. Н. Вейс, Е. А. Гуриева, О. Г. Нефедов, Л. В. Прокофьева, “Особенности спектров поглощения $p$-PbSe с изовалентными примесями замещения”, Физика и техника полупроводников, 18:9 (1984),  1723–1726  mathnet
20. А. Н. Вейс, Р. Р. Яфаев, “Исследование коэффициента поглощения в $n$-PbTe, легированном бором”, Физика и техника полупроводников, 18:3 (1984),  475–478  mathnet
1983
21. А. Н. Вейс, В. И. Кайданов, С. А. Немов, “Энергетический спектр твердых растворов PbSe$_{1-x}$Te$_{x}$, легированных примесью таллия”, Физика и техника полупроводников, 17:11 (1983),  1948–1952  mathnet
22. А. Н. Вейс, “Особенности спектральных зависимостей коэффициента поглощения в халькогенидах свинца, легированных индием, в области края фундаментальной полосы”, Физика и техника полупроводников, 17:2 (1983),  363–366  mathnet

Организации
 
  Обратная связь:
 Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024