|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2023 |
| 1. |
С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, В. А. Крючков, В. А. Стрелец, И. С. Шашкин, Н. А. Пихтин, “Квазинепрерывные микролинейки мощных полупроводниковых лазеров (λ = 976 нм) с увеличенной длиной резонатора на основе асимметричных гетероструктур с широким волноводом”, Квантовая электроника, 53:1 (2023), 6–10  [S. O. Slipchenko, A. A. Podoskin, V. A. Kryuchkov, V. A. Strelets, I. S. Shashkin, N. A. Pikhtin, “Quasi-cw high-power laser diode mini bars (λ=976 nm) with increased length of a resonator based on asymmetric heterostructures with a broadened waveguide”, Bull. Lebedev Physics Institute, 50:suppl. 5 (2023), S520–S526] |
|
2021 |
| 2. |
В. Н. Светогоров, Ю. Л. Рябоштан, Н. А. Волков, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, К. В. Бахвалов, Д. А. Веселов, А. В. Лютецкий, В. А. Стрелец, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, “Мощные полупроводниковые AlGaInAs/InP-лазеры спектрального диапазона 1.9–2.0 мкм со сверхузким волноводом”, Квантовая электроника, 51:10 (2021), 909–911  [V. N. Svetogorov, Yu. L. Ryaboshtan, N. A. Volkov, M. A. Ladugin, A. A. Padalitsa, A. A. Marmalyuk, K. V. Bakhvalov, D. A. Veselov, A. V. Lyutetskiy, V. A. Strelets, S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin, “High-power AlGaInAs/InP semiconductor lasers with an ultra-narrow waveguide emitting in the spectral range 1.9–2.0 μm”, Quantum Electron., 51:10 (2021), 909–911   ] |
1
|
| 3. |
Н. А. Волков, Т. А. Багаев, Д. Р. Сабитов, А. Ю. Андреев, И. В. Яроцкая, А. А. Падалица, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, К. В. Бахвалов, Д. А. Веселов, А. В. Лютецкий, Н. А. Рудова, В. А. Стрелец, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, “Полупроводниковые лазеры InGaAs/AlGaAs/GaAs ($\lambda$ = 900–920 нм) с расширенным асимметричным волноводом и улучшенной вольт-амперной характеристикой”, Квантовая электроника, 51:10 (2021), 905–908 [N. A. Volkov, T. A. Bagaev, D. R. Sabitov, A. Yu. Andreev, I. V. Yarotskaya, A. A. Padalitsa, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, K. V. Bakhvalov, D. A. Veselov, A. V. Lyutetskiy, N. A. Rudova, V. A. Strelets, S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin, “InGaAs/AlGaAs/GaAs semiconductor lasers ($\lambda$ = 900–920 nm) with broadened asymmetric waveguides and improved current–voltage characteristics”, Quantum Electron., 51:10 (2021), 905–908 ] |
3
|
|
2019 |
| 4. |
Ю. К. Бобрецова, Д. А. Веселов, Н. В. Воронкова, С. О. Слипченко, В. А. Стрелец, М. В. Богданович, П. В. Шпак, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, Н. А. Пихтин, “Импульсный лазерный модуль спектрального диапазона 1500–1600 нм на основе мощного полупроводникового лазера”, Квантовая электроника, 49:5 (2019), 488–492 [Yu. K. Bobretsova, D. A. Veselov, N. V. Voronkova, S. O. Slipchenko, V. A. Strelets, M. V. Bogdanovich, P. V. Shpak, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, N. A. Pikhtin, “Pulsed laser module based on a high-power semiconductor laser for the spectral range 1500–1600 nm”, Quantum Electron., 49:5 (2019), 488–492 ] |
3
|
|
2016 |
| 5. |
Д. А. Веселов, И. С. Шашкин, К. В. Бахвалов, А. В. Лютецкий, Н. А. Пихтин, М. Г. Растегаева, С. О. Слипченко, Е. А. Бечвай, В. А. Стрелец, В. В. Шамахов, И. С. Тарасов, “К вопросу о внутренних оптических потерях и токовых утечках в лазерных гетероструктурах на основе твердых растворов AlGaInAs/InP”, Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016), 1247–1252 ; D. A. Veselov, I. S. Shashkin, K. V. Bakhvalov, A. V. Lyutetskiy, N. A. Pikhtin, M. G. Rastegaeva, S. O. Slipchenko, E. A. Bechvay, V. A. Strelets, V. V. Shamakhov, I. S. Tarasov, “On the problem of internal optical loss and current leakage in laser heterostructures based on AlGaInAs/InP solid solutions”, Semiconductors, 50:9 (2016), 1225–1230 |
8
|
|
Обратная связь: