|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
Д. В. Побат, В. А. Соловьев, М. Ю. Чернов, С. В. Иванов, “Распределение дислокаций несоответствия и упругих механических напряжений в метаморфных буферных слоях InAlAs разной конструкции”, Физика твердого тела, 63:1 (2021), 85–90   ; D. V. Pobat, V. A. Solov'ev, M. Yu. Chernov, S. V. Ivanov, “Distribution of misfit dislocations and elastic mechanical stresses in metamorphic buffer InAlAs layers of various constructions”, Phys. Solid State, 63:1 (2021), 84–89 |
2
|
|
2019 |
| 2. |
В. А. Соловьев, М. Ю. Чернов, С. В. Морозов, К. Е. Кудрявцев, А. А. Ситникова, С. В. Иванов, “Стимулированное излучение на длине волны $2.86$ мкм из метаморфных In(Sb,As)/In(Ga,Al)As/GaAs квантовых ям в условиях оптической накачки”, Письма в ЖЭТФ, 110:5 (2019), 297–302 ; V. A. Solov'ev, M. Yu. Chernov, S. V. Morozov, K. E. Kudryavtsev, A. A. Sitnikova, S. V. Ivanov, “Stimulated emission at a wavelength of $2.86 \mu$m from In(Sb, As)/In(Ga, Al)As/GaAs metamorphic quantum wells under optical pumping”, JETP Letters, 110:5 (2019), 313–318   |
5
|
| 3. |
В. А. Соловьев, М. Ю. Чернов, О. С. Комков, Д. Д. Фирсов, А. А. Ситникова, С. В. Иванов, “Влияние сильнонапряженных вставок GaAs и InAs в буферном слое InAlAs на структурные и оптические свойства метаморфных квантово-размерных гетероструктур InAs(Sb)/InGaAs/InAlAs/GaAs”, Письма в ЖЭТФ, 109:6 (2019), 381–386 ; V. A. Solov'ev, M. Yu. Chernov, O. S. Komkov, D. D. Firsov, A. A. Sitnikova, S. V. Ivanov, “Effect of strongly mismatched GaAs and InAs inserts in a InAlAs buffer layer on the structural and optical properties of metamorphic InAs(Sb)/InGaAs/InAlAs/GaAs quantum-confined heterostructures”, JETP Letters, 109:6 (2019), 377–381 |
6
|
|
2018 |
| 4. |
В. А. Соловьев, М. Ю. Чернов, А. А. Ситникова, П. Н. Брунков, Б. Я. Мельцер, С. В. Иванов, “Оптимизация структурных свойств и морфологии поверхности метаморфного буферного слоя In$_{x}$Al$_{1-x}$As с корневым профилем изменения состава ($x$ = 0.05–0.83), выращиваемого методом молекулярно-пучковой эпитаксии на GaAs (001)”, Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018), 127–132 ; V. A. Solov'ev, M. Yu. Chernov, A. A. Sitnikova, P. N. Brunkov, B. Ya. Mel'tser, S. V. Ivanov, “Optimization of the structural properties and surface morphology of a convex-graded In$_{x}$Al$_{1-x}$As ($x$ = 0.05–0.83) metamorphic buffer layer grown via MBE on GaAs (001)”, Semiconductors, 52:1 (2018), 120–125 |
8
|
|
2016 |
| 5. |
В. А. Соловьев, М. Ю. Чернов, Б. Я. Мельцер, А. Н. Семенов, Я. В. Терентьев, Д. Д. Фирсов, О. С. Комков, С. В. Иванов, “Метаморфные квантовые ямы InAs/InGaAs/InAlAs с субмонослойными вставками InSb, излучающие в среднем инфракрасном диапазоне”, Письма в ЖТФ, 42:20 (2016), 33–39 ; V. A. Solov'ev, M. Yu. Chernov, B. Ya. Mel'tser, A. N. Semenov, Ya. V. Terent'ev, D. D. Firsov, O. S. Komkov, S. V. Ivanov, “Metamorphic InAs/InGaAs/InAlAs quantum wells with submonolayer InSb insertions emitted in the mid-infrared spectral range”, Tech. Phys. Lett., 42:10 (2016), 1038–1040 |
9
|
|
Обратная связь: