|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2019 |
1. |
С. А. Блохин, Н. А. Малеев, М. А. Бобров, А. Г. Кузьменков, А. П. Васильев, Ю. М. Задиранов, М. М. Кулагина, А. А. Блохин, Ю. А. Гусева, А. М. Оспенников, М. В. Петренко, А. Г. Гладышев, А. Ю. Егоров, И. И. Новиков, Л. Я. Карачинский, Д. В. Денисов, В. М. Устинов, “Вертикально-излучающие лазеры с внутрирезонаторными контактами и ромбовидной токовой апертурой для компактных атомных часов”, Квантовая электроника, 49:2 (2019), 187–190 [S. A. Blokhin, N. A. Maleev, M. A. Bobrov, A. G. Kuz'menkov, A. P. Vasil'ev, Yu. M. Zadiranov, M. M. Kulagina, A. A. Blokhin, Yu. A. Guseva, A. M. Ospennikov, M. V. Petrenko, A. G. Gladyshev, A. Yu. Egorov, I. I. Novikov, L. Ya. Karachinsky, D. V. Denisov, V. M. Ustinov, “Vertical-cavity surface-emitting lasers with intracavity contacts and a rhomboidal current aperture for compact atomic clocks”, Quantum Electron., 49:2 (2019), 187–190 ] |
8
|
|
2018 |
2. |
С. А. Блохин, М. А. Бобров, А. А. Блохин, А. Г. Кузьменков, А. П. Васильев, Ю. М. Задиранов, Е. А. Европейцев, А. В. Сахаров, Н. Н. Леденцов, Л. Я. Карачинский, А. М. Оспенников, Н. А. Малеев, В. М. Устинов, “Ширина линии излучения и $\alpha$-фактор одномодовых вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850 нм на основе квантовых ям InGaAs/AlGaAs”, Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018), 98–104 ; S. A. Blokhin, M. A. Bobrov, A. A. Blokhin, A. G. Kuz'menkov, A. P. Vasil'ev, Yu. M. Zadiranov, E. A. Evropeitsev, A. V. Sakharov, N. N. Ledentsov, L. Ya. Karachinsky, A. M. Ospennikov, N. A. Maleev, V. M. Ustinov, “Emission-line width and $\alpha$-factor of 850-nm single-mode vertical-cavity surface-emitting lasers based on InGaAs/AlGaAs quantum wells”, Semiconductors, 52:1 (2018), 93–99 |
1
|
|
2017 |
3. |
С. А. Блохин, М. А. Бобров, А. А. Блохин, А. Г. Кузьменков, А. П. Васильев, Ю. М. Задиранов, Е. А. Европейцев, А. В. Сахаров, Н. Н. Леденцов, Л. Я. Карачинский, А. М. Оспенников, Н. А. Малеев, В. М. Устинов, “Ширина линии излучения и $\alpha$-фактор одномодовых вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850 нм на основе квантовых ям InGaAs/AlGaAs”, Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017), 1697 ; S. A. Blokhin, M. A. Bobrov, A. A. Blokhin, A. G. Kuz'menkov, A. P. Vasil'ev, Yu. M. Zadiranov, E. A. Evropeitsev, A. V. Sakharov, N. N. Ledentsov, L. Ya. Karachinsky, A. M. Ospennikov, N. A. Maleev, V. M. Ustinov, “Emission-line width and $\alpha$-factor of 850-nm single-mode vertical-cavity surface-emitting lasers based on InGaAs/AlGaAs quantum wells”, Semiconductors, 52:1 (2018), 93–99 |
1
|
|
2016 |
4. |
А. Н. Именков, Е. А. Гребенщикова, В. А. Шутаев, А. М. Оспенников, В. В. Шерстнев, Ю. П. Яковлев, “Фотоэдс и фототок в структурах Pd–оксид–InP в атмосфере водорода”, Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016), 946–951 ; A. N. Imenkov, E. A. Grebenshchikova, V. A. Shutaev, A. M. Ospennikov, V. V. Sherstnev, Yu. P. Yakovlev, “Photovoltage and photocurrent in Pd–oxide–InP structures in a hydrogen medium”, Semiconductors, 50:7 (2016), 929–934 |
4
|
|