Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Банщиков Александр Гаврилович

В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 6
Научных статей: 6

Статистика просмотров:
Эта страница:116
Страницы публикаций:321
Полные тексты:147

https://www.mathnet.ru/rus/person141433
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2020
1. А. К. Кавеев, А. Г. Банщиков, А. Н. Терпицкий, В. А. Голяшов, О. Е. Терещенко, К. А. Кох, Д. А. Естюнин, А. М. Шикин, “Раскрытие энергетической щели в области точки Дирака при осаждении кобальта на поверхность (0001) топологического изолятора BiSbTeSe$_{2}$”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  859–864  mathnet  elib; A. K. Kaveev, A. G. Banshchikov, A. N. Terpitsky, V. A. Golyashov, O. E. Tereshchenko, K. A. Kokh, D. A. Estyunin, A. M. Shikin, “Energy-gap opening near the Dirac point after the deposition of cobalt on the (0001) surface of the topological insulator BiSbTeSe$_{2}$”, Semiconductors, 54:9 (2020), 1051–1055 3
2019
2. А. Г. Банщиков, Ю. Ю. Илларионов, М. И. Векслер, S. Wachter, Н. С. Соколов, “Характер изменения обратного тока в туннельных МДП-диодах с фторидом кальция на Si(111) при создании дополнительного оксидного слоя”, Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019),  844–849  mathnet  elib; A. G. Banshchikov, Yu. Yu. Illarionov, M. I. Vexler, S. Wachter, N. S. Sokolov, “Trends in reverse-current change in tunnel MIS diodes with calcium fluoride on Si(111) upon the formation of an extra oxide layer”, Semiconductors, 53:6 (2019), 833–837
2018
3. Ю. Ю. Илларионов, А. Г. Банщиков, Н. С. Соколов, S. Wachter, М. И. Векслер, “Немонотонное изменение туннельной проводимости МДП-структуры с двухслойным диэлектриком при увеличении его толщины (на примере системы металл/SiO$_{2}$/CaF$_{2}$/Si)”, Письма в ЖТФ, 44:24 (2018),  150–157  mathnet  elib; Yu. Yu. Illarionov, A. G. Banshchikov, N. S. Sokolov, S. Wachter, M. I. Vexler, “Nonmonotonic change in the tunnel conductivity of an MIS structure with a two-layer insulator with an increase in its thickness (by the example of the metal/SiO$_{2}$/CaF$_{2}$/Si system)”, Tech. Phys. Lett., 44:12 (2018), 1188–1191 2
1985
4. Г. И. Швец, А. Г. Банщиков, О. В. Клявин, “Обнаружение проникновения молекул D$_{2}$O в поверхностный слой кристаллов LiF при их деформации в среде тяжелой воды”, Физика твердого тела, 27:9 (1985),  2618–2623  mathnet  isi
1984
5. А. Г. Банщиков, В. Е. Корсуков, А. Г. Савельев, “О температурной зависимости ионного распыления меди и цинка”, Физика твердого тела, 26:2 (1984),  540–541  mathnet  isi
1975
6. И. И. Новак, В. Е. Корсуков, А. Г. Банщиков, “Влияние одноосного сжатия на поверхностные поляритоны в титанате стронция”, Докл. АН СССР, 224:6 (1975),  1297–1299  mathnet

Организации
 
  Обратная связь:
 Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024