|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
А. А. Ревин, А. М. Михайлова, А. А. Конаков, В. В. Цыпленков, В. Н. Шастин, “Долинно-орбитальное взаимодействие в германии, легированном донорами V группы: количественный анализ”, Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021), 901–907   ; A. A. Revin, A. M. Mikhaylova, A. A. Konakov, V. V. Tsyplenkov, V. N. Shastin, “Quantitative analysis of valley–orbit coupling in germanium doped with group-V donors”, Semiconductors, 55:12 (2021), 879–884 |
|
2020 |
| 2. |
А. А. Ревин, А. М. Михайлова, А. А. Конаков, В. Н. Шастин, “Электронные состояния доноров V группы в германии: вариационный расчет с учетом короткодействующего потенциала”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020), 938–944 ; A. A. Revin, A. M. Mikhaylova, A. A. Konakov, V. N. Shastin, “Electronic states of group V donors in germanium: variational calculation taking into account the short-range potential”, Semiconductors, 54:9 (2022), 1127–1133 |
1
|
|
2017 |
| 3. |
Н. В. Дербенёва, А. А. Конаков, А. Е. Швецов, В. А. Бурдов, “Электронная структура и спектры поглощения нанокристаллов кремния с галогеновым покрытием (Br, Cl)”, Письма в ЖЭТФ, 106:4 (2017), 227–232 ; N. V. Derbenyova, A. A. Konakov, A. E. Shvetsov, V. A. Burdov, “Electronic structure and absorption spectra of silicon nanocrystals with a halogen (Br, Cl) coating”, JETP Letters, 106:4 (2017), 247–251   |
9
|
| 4. |
В. Е. Дегтярев, С. В. Хазанова, А. А. Конаков, “Влияние электрического поля на соотношение параметров Рашба и Дрессельхауза в гетероструктурах А$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017), 1462–1467 ; V. E. Degtyarov, S. V. Khazanova, A. A. Konakov, “Effect of electric field on the ratio between the rashba and dresselhaus parameters in III–V heterostructures”, Semiconductors, 51:11 (2017), 1409–1414 |
1
|
|
Обратная связь: